PSRAM存储芯片是常用的外部存储设备。具有SRAM接口协议、给出地址、读写指令、实现数据存储。不需要复杂的内存控制器来控制内存单元来定期刷新数据。传统的SRAM它由六个晶体管组成cell，而psram它由一个晶体管制成一个电容构成一个存储cell，因此psram可实现较大的存储容量。
 
串行PSRAM的低引脚封装和传统RAM储存相比，具有尺寸小、成本低等优点。串行psram对外互联通过八路串联，最高为200MHz双倍数据速率在速度下，可实现超3Gbps带宽传送。相比较于传统存储器具有更大的带宽。
 
串行PSRAM选用DRAM架构，能有效压缩芯片体积，串行psram生产成本接近DRAM成本，具有成本较低的优势。psram自刷新无需刷新电路即可存储其内部存储的数据；DRAM每隔一段时间，刷新充电一次，否则内部数据就会消失，psram相比传统RAM会有更广泛的应用。
 
PSRAM目前支持的标准有JEDEC JESD251A(Profile 2.0)、HyperRAM、Xccela standards，其对应的厂家为apmemory(爱普科技)。
 
爱普科技APS6404L该PSRAM存储器器件具有高速，低引脚数接口。具有4个SDR I/O引脚，并以高达144 MHz的频率在SPI或QPI模式下运行。适合于低功耗和低成本便携式应用。结合了无缝的自我管理刷新机制。因此它不需要系统主机支持DRAM刷新。采用小尺寸封装8引线USON-8L 3x2mm。AP Memory代理商英尚微电子提供驱动、例程以及必要的FAE支持。

 
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