SIC MOSFET它通常用于高压和大功率电源。由于系统要求这种电源应保护原副边的隔离，因此通过变压器从一侧到另一侧传递能量，控制器通常放置在其中一侧，如副边，以驱动原边的SIC MOSFET时候，副边控制器发出的驱动信号必须通过隔离方式的驱动方式传递到原来的才能驱动它。
 
选择隔离模式，可以对原边高压电路的地和副边控制器的地进行单独设计，防止高压电路对低压控制电路的损坏。同时，一些不必要的通信或直流信号不会从高压侧传输到低压侧，从而提高驱动电路的稳定性。这是碳化硅驱动电路的典型规定。
 
传统的隔离方法是光耦合隔离，它具有更好的抑制瞬态和噪声能力，但缺点是光耦合的增益可以随时间变化。另一种常见的隔离方法是磁性隔离，但在磁场环境中，应用将受到限制。容性保护也是一种常见的隔离方法。它在高压和外部磁场的敏感性方面具有很大的优势。同时，它也适用于快速开关操作，以保持较小的延迟。


本文关键词：SIC MOSFET

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