近些年来SIC技术成熟，SIC MOSFET价格大幅下降，应用领域进一步扩大。在不久的将来，它将成为新一代流行的低损耗电力设备。在具体的工程应用、设计和开发过程中，我们经常需要检查SIC MOSFET分析开关特性、静态特性和功率损耗，便于有效评估整个系统的效率。
 
为何SIC MOSFET短路耐受时间很小？
 
短路耐受时间(tsc)这是功率半导体器件一个非常重要的参数，这就是为什么它现在成为一个在SiC推广和应用中多次提到的原因。SIC的短路能力相对于先进的Si基IGBT来讲是低的。SIC宣传这么强的材料特性，为什么短路能力这么不够？
 
IGBT短路发生时，必须在10us或者在更短的时间内关掉IGBT，其他参数可以控制相同的短路能耗，如栅极电压VGE，母线电压等，但最终都是为了保证IGBT不会因为过热而失效。SIC MOSFET原来短路能力小，根本原因也是因为热，是因为短路前后的温度分布不科学！


本文关键词：SIC MOSFET

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