目前，新兴的存储技术旨在集成SRAM的开关速度和DRAM的高密度特性，并具有Flash的非易失特性。新型存储技术可主要分为相变存储器(PCM)、磁变存储器（MRAM）、阻变存储器（RRAM/ReRAM）以及铁电存储器（FRAM/FeRAM）。
 
相变存储器通过相变材料相态的变化获得不同的电阻值，主要适用于大容量的独立式存储应用。磁变存储器通过磁性材料中磁筹的方向变化改变电阻，主要适用于小容量高速低功耗的嵌入式应用。
 
而阻变存储器则利用阻变材料中导电通道的产生或关闭实现电阻变化，目前主要用于物理不可克隆芯片（PUF），并有可能在未来的人工智能、存算一体等领域发挥作用。此外，近年来，存算一体正逐渐成为解决当前存储挑战的热门趋势之一。
 
上述新型存储技术都具备一些共性，比如具有非易失性或持久性的特点，而所有的主流非易失性存储器均源自于只读存储器（ROM）技术；部分技术可通过工艺缩小尺寸，从而降低成本；无需使用闪存所需的块擦除/页写入方法，从而大大降低了写入耗电需求，同时提高了写入速度。下表为新型存储技术关键指标对比：
 
新型存储技术关键指标对比

指标	PCM	MRAM	RRAM	FRAM
非易失性	是	是	是	是
工作电压	较高(>3V)	较低(<1.5V)	较低(<1.5V)	/
多级	是	否	是	是
持久性	良	更佳	更佳	/
兼容性	与CMOS兼容	与CMOS兼容	与CMOS兼容	与CMOS兼容
代表公司	英特尔、美光	Everspin	Crossbar	英飞凌、富士通半导体
商用领域	混合固态盘、持久内存	嵌入式	/	IC卡、MCU

本文关键词：MRAM,SRAM,FRAM

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