CY7C1041GN是一款高性能CMOS异步快速快速SRAM，由256K字16位组成。通过断言芯片使能（CE）和写入使能（WE）输入LOW来执行数据写入，同时在I/O0到I/O15上提供数据，在A0到A17引脚上提供地址。字节高使能（BHE）和字节低使能（BLE）将控制写入操作输入到指定存储器位置的上字节和下字节。BHE控制I/O8至I/O15，BLE控制I/O 0至I/O 7。
 
   通过断言芯片使能（CE）和输出使能（OE）输入LOW并在地址线上提供所需地址来执行数据读取。读取数据可在I/O线上访问（I/O0到I/O15）。字节访问可以通过断言所需的字节使能信号（BHE或BLE）来执行，以从指定的地址位置读取数据的上字节或下字节。详情及实现国产替换联系英尚微。
 
   特征
   •高速
   •tAA=10纳秒/15纳秒
   •低有功和备用电流
   •有效电流：ICC=38mA（典型值）
   •备用电流：ISB2=6-mA（典型值）
   •工作电压范围：1.65V至2.2V、2.2V至3.6V和4.5V至5.5V
   •1.0-V数据保留
   •TTL兼容输入和输出
   •无铅44引脚SOJ、44引脚TSOPII和48球VFBGA封装
 
本文关键词：SRAM,CY7C1041GN

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