STT-MRAM是一种先进的磁阻，它利用电子自旋的磁性在半导体中提供非易失性。MRAM代表磁阻随机存取存储器，是一种使用磁状态而不是DRAM等设备使用的电荷来存储数据位的方法。
 
    STT-MRAM由三星电子公司的代工厂制造，得益于三星代工厂的28纳米FD-SOI工艺，Netsol MRAM拥有低功耗和更紧凑的尺寸。今年大规模生产STT-MRAM，在从物联网到医疗和汽车的广泛行业提供替代品。
 
    Netsol的MRAM具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要使用最少数量的引脚来快速存储、检索数据和程序的应用程序而言，是最为理想的存储器。适用于工业设备中的代码存储、数据记录、备份和工作存储器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。

 
    容量包括1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb，具有SDR和DDR串行接口兼容性的单线、双线和四线SPI。数据保存期10年，拥有无限读取耐力，写入耐力10¹⁴_，无需外部ECC，工业标准引脚及封装8WSON、8SOP。样品测试及规格书详情联系代理英尚微电子。

Netsol 串行MRAM

Part Number	Density	Interfaces	VDD(V)	Frequency(MHz) SDR/DDR	Temperature	Package
S3A1004V0M	1Mbit	Single/Dual/Quad SPI	2.70~3.60	108Mhz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
S3A1004R0M	1Mbit	Single/Dual/Quad SPI	1.71~1.98	108Mhz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
S3A2004V0M	2Mbit	Single/Dual/Quad SPI	2.70~3.60	108Mhz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
S3A2004R0M	2Mbit	Single/Dual/Quad SPI	1.71~1.98	108Mhz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
S3A4004V0M	4Mbit	Single/Dual/Quad SPI	2.70~3.60	108Mhz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
S3A4004R0M	4Mbit	Single/Dual/Quad SPI	1.71~1.98	108Mhz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
S3A8004V0M	8Mbit	Single/Dual/Quad SPI	2.70~3.60	108Mhz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
S3A8004R0M	8Mbit	Single/Dual/Quad SPI	1.71~1.98	108Mhz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
S3A1604V0M	16Mbit	Single/Dual/Quad SPI	2.70~3.60	108Mhz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
S3A1604R0M	16Mbit	Single/Dual/Quad SPI	1.71~1.98	108Mhz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
S3A3204V0M	32Mbit	Single/Dual/Quad SPI	2.70~3.60	108Mhz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
S3A3204R0M	32Mbit	Single/Dual/Quad SPI	1.71~1.98	108Mhz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP

 

本文关键词：Netsol,STT-MRAM

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