MRAM是一种新型非易失存储器，采用电子的自旋属性表征数据信息的存储及传输，具备高速读写、低功耗、高密度、耐擦写、宽温区和抗辐照等优势，被广泛认为是下一代非易失存储芯片的理想选择。MRAM具能够将存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。
 
    在汽车应用上面，Netslo MRAM非易失性存储器几乎可以在任何汽车系统中提高性能并降低成本，保护有价值的数据并降低成本MRAM内存是保留的车辆数据，简化设计并降低BOM成本的最佳解决方案。是保护数据的最佳解决方案.样品测试及详情信息欢迎咨询官方代理英尚微电子。
 
    核心特征
    -容量 : 1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb
    -电源供应 ：1.8V（1.71V～1.98V）或3.3V（2.7V～3.6V）
     -具有SDR和DDR串行接口兼容性的单线、双线和四线SPI。
     -数据保存期 ：10年
     -读取耐力 ：无限
     -写入耐力 : 10¹⁴
     -无需外部ECC
     -工业标准引脚及封装 ：8WSON、8SOP
 

本文关键词：MRAM,Netslo MRAM

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