随着物联网和人工智能技术的不断发展，端点设备中使用的MCU预计将提供比以往更高的性能。高性能MCU的CPU时钟频率在数百MHz，因此为了获得更高的性能，需要提高嵌入式非易失性存储器的读取速度，以尽量减少与CPU时钟频率之间的差距。

 

    MRAM的读取余量比传统 MCU 中使用的闪存更小，使得高速读取操作更加困难。另一方面，对于写入性能，MRAM 比闪存更快，因为它在执行写入操作之前不需要擦除操作。然而，缩短写入时间不仅对于日常使用来说是可取的，而且对于降低在测试过程中写入测试模式以及最终产品制造商写入控制代码的成本也是有利的。

    英尚微MRAM存储芯片供应商代理有Everspin、Netsol等品牌,MRAM具有快速且不易失的特点。快速耐用的非易失性解决方案的需求正在逐渐增加。适用于工业设备中的代码存储、数据记录、备份和工作存储器。可替代 Flash、FeRAM 、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性.

本文关键词：MRAM
 

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