近年来,随着碳化硅(SiC)衬底需求的持续激增,降低SiC成本的呼声日益强烈,最终产品价格仍然是消费者的关键决定因素。SiC衬底的成本在整个成本结构中占比最高,达到50%左右。
这意味着衬底领域的成本降低和利用率的提高尤为重要。因此,大尺寸衬底由于其成本优势,逐渐被人们寄予厚望。
根据中国SiC衬底制造商TankeBlue半导体的测算,从4英寸升级到6英寸预计单片成本可降低50%;从6英寸到8英寸,成本预计还能再降低35%。
同时,8英寸衬底可以生产更多芯片,从而减少边缘浪费。简单来说,8英寸衬底的利用率更高,这也是各大厂商积极研发的主要原因。
目前,6英寸SiC衬底仍占主导地位,但8英寸衬底已开始渗透市场。例如,2023年7月,Wolfspeed宣布其8英寸晶圆厂已开始向中国客户出货SiC MOSFET,表明其8英寸SiC衬底已批量出货。TankeBlue半导体也已开始小规模出货8英寸基板,计划到2024年实现中规模出货。
本文关键词:SiC
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