无人机可以在飞行时直接将数据存储在机身中的存储器或内置硬盘中。这种方式可以提高数据的安全性，保证即使出现网络故障或通信中断等问题，数据也能得到完整保存。
 
    MRAM非易失性存储芯片是非常适合应用于无人机飞行数据存储的芯片，数据记录是如下持续、反复地将重要数据保存于设备的过程。先是系统内外部发生的事件、使用历史 、环境参数、机器状态，最后用于分析目的的其他数据。因需要持续、反复地保存数据，内存需要快速的写入速度与高耐久性。
 
    Netsol MRAM芯片在无人机飞行数据中具有与SRAM不同，无需电压控制器、电池及电池插座、与nvSRAM不同，无需电容器、写入速度快、近乎无限的耐用性（100兆次的写入次数）、断电即时数据备份等明显的优势。
 
    Netsol的STT-MRAM具有非易失特性和几乎无限的耐用性。适用于工业设备中的代码存储、数据记录、备份和工作存储器。可替代 Flash、FeRAM 、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。

Parallel STT-MRAM 系列

S3R1016V1M	1Mbit	64Kx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R1008V1M	1Mbit	128Kx8	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R1016R1M	1Mbit	64Kx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R1008R1M	1Mbit	128Kx8	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R2016V1M	2Mbit	128Kx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R2008V1M	2Mbit	256Kx8	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R2016R1M	2Mbit	128Kx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R2008R1M	2Mbit	256Kx8	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R4016V1M	4Mbit	256Kx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R4008V1M	4Mbit	512Kx8	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R4016R1M	4Mbit	256Kx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R4008R1M	4Mbit	512Kx8	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R8016V1M	8Mbit	512Kx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA, 54TSOP2
S3R8008V1M	8Mbit	1Mx8	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R8016R1M	8Mbit	512Kx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA, 54TSOP2
S3R8008R1M	8Mbit	1Mx8	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R1616V1M	16Mbit	1Mx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA, 54TSOP2
S3R1608V1M	16Mbit	2Mx8	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R1616R1M	16Mbit	1Mx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA, 54TSOP2
S3R1608R1M	16Mbit	2Mx8	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R3216V1M	32Mbit	2Mx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA, 54TSOP2
S3R3216R1M	32Mbit	2Mx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA, 54TSOP2
S3R6416V1M	64Mbit	4Mx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA
S3R6416R1M	64Mbit	4Mx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA

本文关键词：MRAM,Netsol,STT-MRAM

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