MRAM，即磁阻式随机存取存储器，是一种基于隧穿磁阻效应的非易失性存储技术，属于当前新型存储器技术之一。
 
    从特性上看，MRAM具备无限的读写次数、快速的写入速度（写入时间可低至2.3纳秒）、低功耗以及高逻辑芯片整合度等特点，产品主要适用于对容量要求较低的特殊应用领域以及新兴的IoT嵌入式存储领域。
 
    MRAM的耗电量可降至主流存储器（DRAM、NAND Flash）的百分之一，且写入速度快、即使切断电源数据也不会丢失。然而，除了制造成本较高之外，与现有存储器相比，耐久性、可靠性等问题仍需进一步解决。
 
    从主流的MRAM技术来看，MRAM技术包括嵌入式磁阻RAM（MRAM）、自旋传递扭矩MRAM（STT-MRAM）、SOT-MRAM（自旋轨道扭矩磁性随机存储器）。目前MRAM主要以美国半导体大厂Everspin Technologies推出的STT-MRAM（垂直混合自旋扭矩转换磁性随机存储器）为代表。
 
    其中，STT-MRAM利用隧道层的“巨磁阻效应”来读取位单元，当该层两侧的磁性方向一致时表现为低电阻，当磁性方向相反时，电阻会显著增加。与其他新兴存储技术相比，STT-MRAM的耐用性较为出色，并且存储速度极快，被认为是最高级的缓存存储器。
 
    STT-MRAM和SOT-MRAM这两种存储器有望成为高性能计算系统（如数据中心）分级存储体系中的理想选择。不过，若要将STT-MRAM或SOT-MRAM用作高密度存储器，还需在存储器成本和密度方面进行进一步的提升。


本文关键词：MRAM,Everspin

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