Everspin MRAM是一种具有革命性的存储器，其原理是利用电子自旋的磁性结构，来提供不会产生损耗的非挥发特性。Everspin MRAM可在集成了硅电路的磁性材料中存储信息，以在单一、可无限使用的组件中提供SRAM的速度以及闪存的非挥发特性。Everspin是从飞思卡尔半导体公司分离出来的一家独立公司。2006年，Everspin推出业界第一款商业化MRAM产品。今日，Everspin MRAM已广泛用在数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输、和航空电子领域。
并行MRAM具有快速、非易失性的SRAM读写周期时间。8位MRAM系列容量为256Kb到16Mb，16位MRAM系列容量为1Mb到16Mb，提供符合RoHS规范的TSOP和BGA两种封装。与所有Everspin非易失性RAM一样，所有器件可无限次读写。

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
16Mb	1Mx16	MR4A16BYS35	54-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
16Mb	1Mx16	MR4A16BCYS35	54-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
16Mb	1Mx16	MR4A16BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
16Mb	1Mx16	MR4A16BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
16Mb	2Mx8	MR4A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
16Mb	2Mx8	MR4A08BCYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
16Mb	2Mx8	MR4A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
16Mb	2Mx8	MR4A08BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	256Kx16	MR2A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40 ℃to +85℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	256Kx16	MR2A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +105℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	512Kx8	MR2A08ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40 ℃to +125℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	512Kx8	MR2A08ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AMA35	48-BGA	3.3V	0 ℃to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40 to +105C
1Mb	64Kx16	MR0A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0D08BMA45	48-BGA	3.3VDD, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0DL08BMA45	48-BGA	2.7VDD min, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
256Kb	32Kx8	MR256A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
256Kb	32Kx8	MR256A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
256Kb	32Kx8	MR256A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
256Kb	32Kx8	MR256D08BMA45	48-BGA	3.3VDD, 1.8IO	0℃ to +70℃
256Kb	32Kx8	MR256DL08BMA45	48-BGA	2.7VDD min, 1.8IO	0℃ to +70℃
256Kb	32Kx8	MR256A08BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃

本文关键词：并行MRAM

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