Everspin MR4A16B 16Mb并行MRAM具有兼容SRAM的35ns读/写周期，并拥有出色耐久性。

MR4A16B由1,048,576字 x 16位构成。对于这款MRAM来说，数据保持期长达20年以上而不会丢失，并会在掉电时由低压抑制电路自动提供保护，以防止在非工作电压期间写入。
 
MR4A16B采用48引脚球栅阵列 (BGA) 小型封装和54引脚微小外形封装 (TSOPII)。
 
这款器件能够在商业级（0至+70 °C）、工业级（-40至+85 °C）与扩展级（-40至+105 °C）温度范围内工作，并在整个温度范围内保持高度可靠的数据存储能力。
 

本文关键词：并行MRAM

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