磁性随机存储器(MRAM)和集成磁（Integrated Magnetic）产品的领导厂商Everspin科技公司日前推出4Mb MRAM， 进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。现在所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发性、高性能、以及高可靠性优势的MRAM技术。
 
Everspin科技公司表示将对MRAM产品线进行持续性快速的拓展，以便更多客户实现对产品差异化设计。也将不断提高MRAM产品的容量，并以极具成本效益的方式保持MRAM的独有特性。"
 
MR4A16BYS35是一款3.3V、并行I/O非挥发RAM，其超快的存取周期仅为35ns，并允许无限制的读/写循环。在每次写入后，资料能持续保存超过20年。此外与其它存储器不同，MRAM还可免除因宇宙射线所产生的软错误率(SER, soft error rate)。这款16Mb MRAM由引脚和功能可与异步SRAM兼容。MMR4A16BYS35目标应用为工业自动化、机器人、网络和数据储存、多功能打印机、以及其它许多传统受限于需采用SRAM设计的系统。

更多详情：https://www.sramsun.com/list-180-1.html

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