Everspin推出基于格罗方德28nm工艺的1Gb STT-MRAM
2019-10-17 11:04:24
Everspin 近日宣布，其已开始试生产最新的 1Gb STT-MRAM（自旋转移力矩磁阻）非易失性随机存取器。去年 12 月的时候，其已发布了首批预生产样品。新 MRAM 器件采用格罗方德（GlobalFoundries）的 28nm 工艺制造，与当前的 40nm 256Mb 器件相比，其在密度和容量方面有了重大的进步。预计今年下半年的时候，其产能会开始增加。
新器件提供了 8 / 16-bit 的 DDR4-1333 MT/s（667MHz）接口，但与较旧的基于 DDR3 的 MRAM 组件一样，时序上的差异使得其难以成为 DRAM（动态随机存取器）的直接替代品。
低容量的特性，使得 MRAM 组件更适用于嵌入式系统，其中 SoC 和 ASIC 可更容易地设计兼容的 DDR 控制器。
据悉最新的 1Gb 容量 STT-MRAM 扩大了 MRAM 的吸引力，但 Everspin 仍需努力追赶 DRAM 的存储密度。
当然我们并不指望 MRAM 专用存储设备可以迅速在市面上普及（SSD或 NVDIMM）。毕竟市面上的混合型 SSD，仍依赖于 NAND 闪存作为主要存储介质。
目前行业内已通过 MRAM 来部分替代 DRAM，比如 IBM 就在去年推出了 FlashCore 模块，以及希捷在 FMS 2017 上展示的原型。
需要指出的是尽管 Everspin 不是唯一一家致力于 MRAM 技术的公司，但它们却是分立式 MRAM 器件的唯一供应商。
作为与格罗方德合作生产的第二款分立型 MRAM 器件，他们还在 GloFo 的 22nm FD-SOI 工艺路线图中嵌入了 MRAM 。
鉴于该工厂取消了 7nm 和更低制程的计划，包括嵌入式内存在内的特殊工艺对其未来显然至关重要。
本文关键词： Everspin
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