XM25QWxxC系列产品的读速在1.65V至3.6V电压范围内可达108MHz（在所有单/双/四通道和QPI模式下均支持），提供比其他供应商更快更强的性能，在电源电压下降后，时钟速度没有任何减慢。其传输速率优胜于8位和16位并行闪存。在连续读取模式下可以实现高效的存储器访问，仅需8个时钟的指令周期即可读取24位地址，从而实现真正的XIP（execute in place）操作。

   

 XM25QWxxC系列flash芯片支持SOP8和USON8封装，适用于便携式产品设计。

 

“XM25QWxxC系列产品采用业界先进的50nm Floating Gate工艺，可使便携式设备的电池寿命延长1.5倍以上。此外客户可以通过宽电压功能实现更好的库存管理。” 武汉新芯运营中心副总裁孙鹏先生表示，“ 该系列产品的发布是武汉新芯自主品牌战略的关键里程碑，未来武汉新芯也将针对持续发展的IoT市场不断开发出创新产品，不断扩展高性能存储产品组合

我司代理武汉新芯SPI NRO FALSH芯片产品，可提供技术支持及烧录等服务。

武汉新芯选型链接：https://www.sramsun.com/list-409-1.html


本文关键词： XM25QW

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