随着处理器日趋强大，尺寸越发小型。更加强大的处理器需要缓存进行相应的改进。与此同时每一个新的工艺节点让增加嵌入式缓存变得艰巨起来。SRAM拥有一个6晶体管架构(逻辑区通常包含4个晶体管/单元)。这便意味着随着工艺节点不断缩小，每平方厘米上的晶体管的数量将会非常多。这种极高的晶体管密度会造成很多问题，其中包括：




 
更易出现软错误：工艺节点从130nm缩小到22nm后，软错误率预计将增加7倍。
 
更低的成品率：由于位单元随着晶体管密度的增加而缩小，SRAM区域更容易因工艺变化出现缺陷。这些缺陷将降低处理器芯片的总成品率。
 
更高的功耗：如果SRAM的位单元必需与逻辑位单元的大小相同，那么SRAM的晶体管就必须小于逻辑晶体管。较小的晶体管会导致泄露电流升高，从而增加待机功耗。
 
另一个技术发展趋势是可穿戴电子产品的出现。对于智能手表、健身手环等可穿戴设备而言，尺寸和功耗是关键因素。由于电路板的空间有限，MCU必须做得很小，而且必须能够使用便携式电池提供的微小电量运行。
 
片上缓存难以满足上述要求。未来的可穿戴设备将会拥有更多功能。因此片上缓存将无法满足要求，对外置缓存的需求将会升高。在所有存储器选项中，SRAM最适合被用作外置缓存，因为它们的待机电流小于DRAM，存取速度高于DRAM和闪存。我司英尚微电子提供不同容量的SRAM芯片，并代理VTI产品

VTI部分SRAM芯片型号如下：

Density	Organization	Part NO.	Vcc(V)	Speed(MHz)	Bus Modes	Temp.	Package	Packing	Status
64Mbit	8M x 8	VTI7064LSM	1.8	104	SQI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
64Mbit	8M x 8	VTI7064LSM	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
64Mbit	8M x 8	VTI7064MSM	3.0	104	SQI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
64Mbit	8M x 8	VTI7064MSM	3.0	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP

 
 
本文关键词： SRAM

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