MRAM技术

MRAM或磁性随机存取存储器使用1晶体管–1磁性隧道结（1T-1MTJ）架构，其中铁磁材料的磁性“状态”作为数据存储元素。由于MRAM使用磁性状态进行存储（而不是随时间推移而“泄漏”的电荷），因此MRAM可以提供非常长的数据保留时间（+20年）和无限的耐用性。切换磁极化（Write Cycle）是在电磁隧道结（MTJ）上方和下方的导线中产生脉冲电流的结果（见图1）。
 
   
FRAM技术
 
FRAM或铁电随机存取存储器使用1个晶体管–1个铁电电容器（1T-1FC）架构，该架构采用铁电材料作为存储设备。这些材料的固有电偶极子在外部电场的作用下转换为相反极性。改变铁电极化态需要偶极子（位于氧八面体中的Ti4+离子）移动（在Pb（Zr，Ti）O3的情况下）对电场的响应（图4）。自由电荷或其他随时间和温度累积的离子缺陷会阻止这种运动，这些缺陷会导致偶极子随时间松弛，从而导致疲劳。
   
FRAM中的读取操作具有破坏性，因为它需要切换极化状态才能感知其状态。在初始读取之后，读取操作必须将极化恢复到其原始状态，这会增加读取时间的周期。
   
FRAM的读和写周期需要一个初始的“预充电”时间，这可能会增加初始访问时间。
 
本文关键词： MRAM  FRAM

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