自旋转移扭矩随机存取存储器（STT-RAM）技术希望用其下一代MRAM取代DRAM，最终取代NAND。它结合了DRAM的成本优势，SRAM的快速读写性能以及闪存的非易失性。据说STT-RAM还解决了第一代现场交换MRAM的主要缺点。

STT-RAM作为通用的可扩展存储器具有巨大的潜在市场。它可以取代嵌入式SRAM和45nm的闪存，32nm的DRAM，并最终取代NAND。STT-RAM是一项很有前途的技术，从经济角度考虑，STT-RAM将取代DRAM还是NAND。

多年来，FeRAM，MRAM，相变，RRAM和其他技术的开发人员分别声称，它们将成为最终的通用存储器，并取代当今的存储器。但是许多下一代存储器类型推向市场的时间很晚，还没有达到高潮。并且今天的存储器继续扩展，从而消除了对下一代存储器类型的需求。

任何这些新技术（例如–FRAM，MRAM和PCM）都有很多机会来替代现有技术。他们所要做的就是降低成本，使其低于已建立的内存。听起来很简单，但实际上却非常困难，这一挑战使这些技术中的任何一种都无法达到临界质量。

MRAM是一种利用电子自旋的磁性来提供非易失性的存储器。该技术具有无限的耐用性。STT-RAM是第二代磁性RAM技术，可以解决常规MRAM结构带来的一些问题。现在正在开发的大多数MRAM都是通过施加由流过隧道磁阻（TMR）元件附近的导线的电流产生的磁场来改变磁化强度来写入数据的。这可以实现快速操作。

飞思卡尔半导体公司的子公司Everspin将其16 Mbit MRAM定位为SRAM替换，数据保留和相关市场。在工业及相关的嵌入式应用中，Everspin希望取代电池供电的SRAM或相关的分立解决方案，此举威胁着赛普拉斯，ISSI，Maxim，意法半导体，TI等公司。

STT方法使用自旋极化电流来切换磁性位，这项技术消耗更少的功率并增强了可伸缩性。STT-RAM通过对齐流经TMR元件的电子的自旋方向来写入数据。


本文关键词： MRAM   STT-RAM

相关文章：MRAM技术随着航空航天局走向轨道

深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商，十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
英尚微电子中国区指定的授权代理：VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半导体品牌的专业分销商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。