2）CPU内部的L1／L2或外部的L2高速缓存。

 

SSRAM（Synchronous SRAM）即同步静态随机存取存储器。同步是指Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。

 

对于SSRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。这一点与异步SRAM不同，异步SRAM的访问独立于时钟，数据输入和输出都由地址的变化控制。

 

SDRAM（Synchronous DRAM）即同步动态随机存取存储器。同步是指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。

FLASH 即闪存。它是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位（注意 : NOR Flash 为字节写存储。），区块大小一般为256KB到20MB。

Nand Flash和Nor Flash都是Flash的一种，都是散存，都是磁盘存储介子，但是NandFlash一般比较大，而NorFlash都比较小，并且NorFlash比较贵，并且NorFlash写的速度比较慢，但读的速度比较快 ，而NandFlash读的速度比较慢，写的速度比较。

EEPROM 即电子可擦除只读存储器。EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本输入输出程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。

串行EEPROM（I2C SPI）

并行EEPROM

flash按接口分有总线flash，SPI flash。总线flash需要你的MCU上有外部总线接口，SPI flash就是通过SPI口对flash进行读写。速度上，总线flash比SPI的快，但是SPI的便宜。


本文关键词：SRAM   EEPROM  Nand Flash

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