我国团队研究出新型态光敏感性半导体存储器
2018-01-03 15:07:14
近日有研究团队根据原子级薄度的半导体研发设计出一种存储器，不仅具有良好的性能，而且能够在完全不需要电力辅佐的情况下，用光线就能清除保存的资料，团队认为这种新型的存储器在系统整合型面板（System on Panel）上，拥有非常大的应用潜力。
本文关键词：半导体存储器
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据报导，复旦大学和中国科学院微电子研究所的Long-Fei He和相关研究人员最近在新的应用物理学快报（AIP）期刊上发表了一个关于新型态存储器的论文。
因为大多数现有的存储器技术都太过笨重，无法整合应用在显示面板上，研究人员一直都在研究全新的设计和材料，尝试制造出同样具有良好性能、却能超薄的储存设备。
在这项新的研究中，研究人员通过二维过度金属材料“二硫化钼”（MoS2）的应用，研发出一种原子级薄度的半导体，它的电导率（conductivity）可以被精细的调整，进而形成具有高开关电流比的存储器基础元件。
除此之外，团队也在反复测试中证明，这类型存储器具有运行速度快、大容量的存储器空间和卓越的存储性，研究人员估计，即使处在85°C（185°F）的高温下10年，储存空间仍可以保存原有的60%左右，对于实际应用来说完全足够。
过去已有研究证实二硫化钼具有光敏性（photoresponsive），这意味着一些性质可以通过运用光来控制，为了了解实际应用情况，团队也实际进行了相关实验，结果发现，当光线照射到已编程的存储设备上时，储存资料被完全消除，但同时运用电压抹除资讯的方式也仍然可以使用。
负责人表示，团队目前正在研究透过编程可控的光脉冲波长和时间，来大规模整合这种储存元件。研究人员相信未来这种储存设备，将会在系统整合型面板的应用上扮演重要角色。
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