2018年各厂商开启新计划
2018-02-27 14:16:53
从技术层面来说，三星今年的目标除了持续提升18nm制程的产出比重外，近两年来DRAM涨价带动DRAM供货商的利润高涨，同时也由于中国大陆潜在竞争者的加入，迫使三星决定展开新一波的扩产计划，将原本计划做NAND Flash的平泽厂二楼区域投入生产DRAM，一方面因为DRAM供给吃紧，另一方面由此减少未来NAND Flash的投片量，用以抑制NAND Flash的跌价速度，对此，DRAMeXchange表示，这样做对整体内存产业来说是积极向上的发展而并不是坏事。
此外，SK海力士去年底开始导入18nm的生产，然而，进入1Xnm世代制程难度高、转换不易，SK海力士目前仍致力于提升其18nm良率；扩厂计划则维持不变，SK海力士最快要到2019年才会在大陆无锡新建的第二座12英寸厂看到产能开出。美光在技术布局方面，台湾美光内存(原瑞晶) 17nm目前产出比重已超过9成，预计今年第二季初将完成转换，而台湾美光晶圆科技(原华亚科)计划今年中开始进行20 nm往17nm的转换，预计今年年底将有望有一半产能转往17nm生产，并于明年上半年全数导入。
台系厂商部分，南亚科第四季营收较前一季大幅成长26.9%，主要归功于20nm转换良率超乎预期，以及价格持续走扬带动。20nm的成本效益拉升营业利益率至38.9%，较前一季成长7个百分点。展望未来，由于该公司20nm良率继续提升，将会持续改善其成本结构，增加获利空间。
力晶科技方面，2017年第四季DRAM营收季持平，主要还是替晶豪科、爱普等IC设计业者代工的获利较佳，力晶本身DRAM产能转向更高毛利的产品；华邦电方面DRAM营收则下滑2.2%，主要因为DRAM产能受到NOR Flash产能压缩所导致。
本文关键词：NAND Flash
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