工业级SSD固态硬盘缓存方案-STT-MRAM

2018-03-15 14:49:06

   ​Buffalo Memory推出SS6系列固态硬盘,第一次采取美国公司Everspin生产的最新技术内存“STT-MRAM”作为缓存缓冲。
 
    Everspin新型内存STT-MRAM是属于自旋转移矩磁阻随机存储,采用自旋极化电流,以磁状态而非电子充电状态保存数据,与传统的动态随机存储(DRAM相比)具有高可靠性、非易失性、超低延迟等特性,海力士、东芝、三星等都在进行STT-MRAM的研发,但目前Everspin是全球唯一家宣布基于pMTJ的ST-MRAM的样品的公司,该STM MRAM被认为是提供最佳可扩展性,形状依赖性和磁性可扩展性的MRAM技术。

    众所周知 ,目前在SSD固态硬盘的市场上一般来说是用DRAM作为缓存缓冲的,但是DRAM属于易失性存储器,在断电时会丢失数据,因此需要再配置超级电容及备份电池以及高级掉电保护技术,无论是硬件还是软件无疑中都增加了不少成本。
 
   而Everspin生产的STT-MRAM是属于非易失性存储器,和NAND闪存一样就算断电也能保留缓存的数据,并且不需要硬盘向闪存刷新缓存内容。
 
    Buffalo SS6采用了来自Everspin科技公司的DDR3 ST-MRAM(EMD3D064M),单颗容量64Mb(8MB),WBGA封装,完全兼容JEDEC DDR3接口规范,频率最高1600MHz,带宽最高3.2GB/s,延迟则是纳秒级别的,另外Everspin科技公司开发DDR3 ST-MRAM(EMD3D256M)新产品,单颗容量256Mb(32Mb x 8 or 16Mb x 16),WBGA封装。

EMD3D064M

以下是关于everspin STT-MRAM 型号EMD3D064M以及型号 EMD3D256M资料的相关介绍
 
The initial 64Mb device is the first product in Everspin's ST-MRAM roadmap that is planned to scale to up to gigabit density and higher speeds.
 
●.Supports Standard DDR3 SDRAM Features.
●.Standard DDR3 SDRAM compatible footprint and pinouts.
●.400MHz clock.
●.512-bit Page Size.
●.On-Device Termination.
 
Everspin 64Mb DDR3 Spin-Torque MRAM
The EMD3D064M08B1 is an 8Mb x 8 Spin-Torque MRAM capable of DDR3 operation at rates of up to 800MT/sec/pin.  
It is available in a 9 x 13mm BGA package.
 
Everspin 256Mb DDR3 Spin-Torque MRAM
The EMD3D256M[08G1/16G2] 32Mb x 8 or 16Mb x 16 Spin-Torque MRAM capable of DDR3 operation at rates of up to 1333MT/sec/pin. 
It is available in a 78-ball [x8] or a 96-ball [x16] 10 x 13mm BGA package.


本文关键词:EMD3D064M      STT-MRAM    EMD3D256M
 

相关文章:中国进入DRAM领域
 


深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商,十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
 英尚微电子中国区指定的授权代理:VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半导体品牌的专业分销商  如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
 
​更多资讯关注SRAMSUN.   www.sramsun.com         0755-66658299

新闻资讯