Everspin新型内存STT-MRAM是属于自旋转移矩磁阻随机存储，采用自旋极化电流，以磁状态而非电子充电状态保存数据，与传统的动态随机存储(DRAM相比)具有高可靠性、非易失性、超低延迟等特性，海力士、东芝、三星等都在进行STT-MRAM的研发，但目前Everspin是全球唯一家宣布基于pMTJ的ST-MRAM的样品的公司，该STM MRAM被认为是提供最佳可扩展性，形状依赖性和磁性可扩展性的MRAM技术。

    众所周知 ，目前在SSD固态硬盘的市场上一般来说是用DRAM作为缓存缓冲的，但是DRAM属于易失性存储器，在断电时会丢失数据，因此需要再配置超级电容及备份电池以及高级掉电保护技术，无论是硬件还是软件无疑中都增加了不少成本。

 

   而Everspin生产的STT-MRAM是属于非易失性存储器，和NAND闪存一样就算断电也能保留缓存的数据，并且不需要硬盘向闪存刷新缓存内容。

 

    Buffalo SS6采用了来自Everspin科技公司的DDR3 ST-MRAM(EMD3D064M)，单颗容量64Mb(8MB)，WBGA封装，完全兼容JEDEC DDR3接口规范，频率最高1600MHz，带宽最高3.2GB/s，延迟则是纳秒级别的，另外Everspin科技公司开发DDR3 ST-MRAM(EMD3D256M)新产品，单颗容量256Mb(32Mb x 8 or 16Mb x 16)，WBGA封装。

以下是关于everspin STT-MRAM 型号EMD3D064M以及型号 EMD3D256M资料的相关介绍

 

The initial 64Mb device is the first product in Everspin's ST-MRAM roadmap that is planned to scale to up to gigabit density and higher speeds.

 

●.Supports Standard DDR3 SDRAM Features.

●.Standard DDR3 SDRAM compatible footprint and pinouts.

●.400MHz clock.

●.512-bit Page Size.

●.On-Device Termination.

 

Everspin 64Mb DDR3 Spin-Torque MRAM

The EMD3D064M08B1 is an 8Mb x 8 Spin-Torque MRAM capable of DDR3 operation at rates of up to 800MT/sec/pin.  

It is available in a 9 x 13mm BGA package.

 

Everspin 256Mb DDR3 Spin-Torque MRAM

The EMD3D256M[08G1/16G2] 32Mb x 8 or 16Mb x 16 Spin-Torque MRAM capable of DDR3 operation at rates of up to 1333MT/sec/pin. 

It is available in a 78-ball [x8] or a 96-ball [x16] 10 x 13mm BGA package.


本文关键词：EMD3D064M      STT-MRAM    EMD3D256M
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