供应Everspin科技公司EMD3D256M样品及技术支持
2018-03-16 10:11:12
深圳市英尚微电子有限公司十几年耕耘于半导体存储器芯片行业领域，并被Everspin科技公司授权为官方授权代理商，代理产品为Serial MRAM，Parellel MRAM，Quad Serial MRAM，DDR3/DDR4 ST-MRAM，目前DDR3/DDR4 ST-MRAM（EMD3D256M）单颗容量256Mb(8MB)，采用78-ball [x8] or a 96-ball [x16] 10 x 13mmWBGA封装，完全兼容JEDEC DDR3接口规范，能够以高达1333MT /秒/引脚的速率运行DDR3，频率最高1600MHz，带宽最高3.2GB/s，延迟则是纳秒级别的。
Everspin 科技公司生产的ST-DDR3 STT-MRAM专为企业级应用设计，如SSD缓冲区，RAID缓冲区或同步记录应用程序，在这些应用中，性能至关重要，耐久性是必不可少的。 STT-MRAM的持久性可保护数据，并使系统能够将延迟时间显着降低高达90％，从而提高性能并推动效率和成本节约。
以下是关于DDR3/DDR4 ST-MRAM（EMD3D256M）的特性：
深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商，十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
Everspin 科技公司生产的ST-DDR3 STT-MRAM专为企业级应用设计，如SSD缓冲区，RAID缓冲区或同步记录应用程序，在这些应用中，性能至关重要，耐久性是必不可少的。 STT-MRAM的持久性可保护数据，并使系统能够将延迟时间显着降低高达90％，从而提高性能并推动效率和成本节约。
以下是关于DDR3/DDR4 ST-MRAM（EMD3D256M）的特性：
• Non-volatile 256Mb (32Mb x 8, 16Mb x 16) DDR3
• Supports standard DDR3 SDRAM features
• V DD = 1.5v +/- 0.075v
• Up to 667MHz f CK (1333MT/sec/pin)
• Page size of 512 bits (x8) or 1024 bits (x16)
• On-device termination
• On-Chip DLL aligns DQ, DQS, DQS transition with CK transition
• All addresses and control inputs are latched on rising edge of Clock
• Burst length of 8 with programmable Burst Chop length of 4
• Standard 10x13mm 78-Ball (x8) or 96-ball (x16) BGA Package
深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商，十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
英尚微电子中国区指定的授权代理：VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半导体品牌的专业分销商 如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
更多资讯关注SRAMSUN. www.sramsun.com 0755-66658299