我国将量产首批32层三维NAND闪存芯片
2018-04-18 11:31:22
位于武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台在本月11日正式进场安装，这象征着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，我国第一批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于今年内量产，填补我国主流存储器空白领域。
现在我国通用的存储器基本全部都依靠进口，国家存储器基地在去年成功研发我国首颗32层三维NAND闪存芯片。这颗耗资10亿美元、由一千人的团队耗费２年自主研发的芯片，这是我国在制造工艺上与国际高端水平最接近的主流芯片，这也许会让我国进入全球存储芯片第一梯队，强力提高“中国芯”在国际市场的地位。
据了解，国家存储器基地项目在2016年由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设，总投资高达240亿美元，预计项目一期总产能将达到30万片／月，年产值将超过100亿美元。
据悉，今年10月设备将点亮投产，预计2019年底64层闪存产品将达到爬坡量产。未来十年，紫光集团计划至少还将投资1000亿美元，相当于平均每年投入100亿美元，进一步追赶上我国在高端芯片领域与先进国家的距离。
本文关键词：NAND闪存芯片
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