EverSpin的技术是领先的开发商和磁性RAM(MRAM)制造商,提供独立和嵌入式MRAM产品。作为世界上第一个量MRAM的供应商,EverSpin的已确立了自己的“MRAM公司”拥有超过600项专利和应用,其中许多是根本和MRAM技术必不可少的知识产权组合。今天EverSpin的MRAM交付产品在数据中心和存储,能源和基础设施,以及汽车和交通运输市场广泛应用,并期望成为ST-MRAM的业界首款量的供应商。
Everspin并行接口256kb~16Mb磁性存储器,具有快速(35ns)、非易失性、无限次读写的特性,可完全替代SRAM、FRAM。对于必须永久保存、快速恢复重要数据和程序的应用,MRAM存储器是理想的存储器方案。
以下是Everspin并行接口256kb~16Mb磁性存储器的型号参考:
Density |
Org. |
Part Number |
Pkg. |
Voltage |
Temp |
16Mb |
1Mx16 |
MR4A16BYS35 |
54-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
16Mb |
1Mx16 |
MR4A16BCYS35 |
54-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
16Mb |
1Mx16 |
MR4A16BMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
16Mb |
1Mx16 |
MR4A16BCMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
16Mb |
2Mx8 |
MR4A08BYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
16Mb |
2Mx8 |
MR4A08BCYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
16Mb |
2Mx8 |
MR4A08BMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
16Mb |
2Mx8 |
MR4A08BCMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16ACYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40 ℃to +85℃ |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AVYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +105℃ |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AMYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16ACMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AVMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +105℃ |
4Mb |
512Kx8 |
MR2A08AYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
4Mb |
512Kx8 |
MR2A08ACYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
4Mb |
512Kx8 |
MR2A08AMYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40 ℃to +125℃ |
4Mb |
512Kx8 |
MR2A08AMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
4Mb |
512Kx8 |
MR2A08ACMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
1Mb |
64Kx16 |
MR0A16ACYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AVYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +105℃ |
1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0 ℃to +70℃ |
1Mb |
64Kx16 |
MR0A16ACMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AVMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40 to +105C |
1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AMYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
1Mb |
128Kx8 |
MR0A08BYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
1Mb |
128Kx8 |
MR0A08BCYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
1Mb |
128Kx8 |
MR0A08BMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
1Mb |
128Kx8 |
MR0D08BMA45 |
48-BGA |
3.3VDD, 1.8IO |
0℃ to +70℃ |
1Mb |
128Kx8 |
MR0DL08BMA45 |
48-BGA |
2.7VDD min, 1.8IO |
0℃ to +70℃ |
1Mb |
128Kx8 |
MR0A08BCMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
256Kb |
32Kx8 |
MR256A08BYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
256Kb |
32Kx8 |
MR256A08BYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
256Kb |
32Kx8 |
MR256A08BMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
256Kb |
32Kx8 |
MR256D08BMA45 |
48-BGA |
3.3VDD, 1.8IO |
0℃ to +70℃ |
256Kb |
32Kx8 |
MR256DL08BMA45 |
48-BGA |
2.7VDD min, 1.8IO |
0℃ to +70℃ |
256Kb |
32Kx8 |
MR256A08BCMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
本文关键词:
并行接口MRAM
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