在设计的过程中，我们在使用单片机STM32F407如果遇到数据内存不够使用，需要进行外扩SRAM存储器芯片，那应该如何设置，
可以采用IS62WV51216（EM681FV16BU-55LF）的SRAM存储器芯片作为存储的外扩芯片，
首先实现 IS62WV51216（EM681FV16BU-55LF）的访问，需要对 FSMC进行哪些配置。
以上是大概步骤的诠释：
步骤如下：
 

1. 使能 FSMC 时钟，并配置 FSMC 相关的 IO 及其时钟使能。

 
 在使用FSMC前，我们要先将其时钟开启。然后把 FSMC_D0~15，FSMCA0~18 等相关IO接口，通通改为复用输出的配置，最后使能各 IO 组的时钟。
 
 使能 FSMC 时钟的方法：
 
 RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);
 
2. 设置 FSMC BANK1 区域 3。
 
FSMC BANK1 区域 3已经包括设置区域 3 的SRAM存储器的位宽、工作模式和读写时序等等。我们启动使用模式 A、16 位宽，并让读写共同使用一个时序寄存器。
使用的函数是：
 void FSMC_NORSRAMInit(FSMC_NORSRAMInitTypeDef* FSMC_NORSRAMInitStruct)
 
3. 使能 BANK1 区域 3。
 
使用的函数是：
 void FSMC_NORSRAMCmd(uint32_t FSMC_Bank, FunctionalState NewState)；
 
 
以上三个步骤，我们就完成了对FSMC的配置设置，设置完毕后就可以访问IS62WV51216（EM681FV16BU-55LF），需要注意的一点，我们选择 BANK1 的区域3使用，因此 HADDR[27:26]=10，而外部内存的首地址设置为 0X68000000。
 
在单片机设计de的过程中我们可以遇到不同容量的型号考虑选择，以下是同类型型号的选择，可以作为参考

Density	Org.	Part number	Speed	Package Type	Voltage
16Mb	x16	EM6168FV16B-45LF	45ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
16Mb	x16	EM6168FV16B-55LF	55ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
16Mb	x16	EM6169FV16B-45LF	45ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
16Mb	x16	EM6169FV16B-55LF	55ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
8Mb	x8	EM680FV8BU-45LF	45ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
8Mb	x8	EM680FV8BU-55LF	55ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
8Mb	x8	EM681FV8BU-45LF	45ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
8Mb	x16	EM681FV8BU-55LF	55ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
8Mb	x16	EM681FV16BU-45LF	45ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
8Mb	x16	EM681FV16BU-55LF	55ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
8Mb	x8	EM680FV8B-45LF	45ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
8Mb	x8	EM680FV8B-55LF	55ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
8Mb	x16	EM680FV16B-45LF	45ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
8Mb	x16	EM680FV16B-55LF	55ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
8Mb	x16	EM681FV16B-45LF	45ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
8Mb	x16	EM681FV16B-55LF	55ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
8Mb	x8	EM681FV8B-45LF	45ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
8Mb	x8	EM681FV8B-55LF	55ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
4Mb	x16	EM641FV16F-45LF	45ns	BGA 48B 6x7x1.0	2.7~3.6V
4Mb	x16	EM640FV16F-55LF	55ns	BGA 48B 6x7x1.0	2.7~3.6V
4Mb	x8	EM641FT8S-55LF	55ns	STSOPI 32L 8x13.4	5V
4Mb	x8	EM641FV8FS-45LF	45ns	STSOPI 32L 8x13.4	2.7~3.6V
4Mb	x8	EM641FV8FS-55LF	55ns	STSOPI 32L 8x13.4	2.7~3.6V
4Mb	x16	EM641FV16FU-45LF	45ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
4Mb	x16	EM641FV16FU-55LF	55ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
4Mb	x16	EM643FV16FU-45LF	45ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
4Mb	x16	EM643FV16FU-55LF	55ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
4Mb	x16	EM643FV16FU-70LF	70ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
4Mb	x16	EM640FV16F-45LF	45ns	BGA 48B 6x7x1.0	2.7~3.6V
4Mb	x16	EM646FV16FU-45LF	45ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
4Mb	x16	EM646FV16FU-55LF	55ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
2Mb	x16	EM620FV16BU-55LF	55ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
2MB	x16	EM620FV16BU-45LF	45ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
2Mb	x8	EM620FV8BS-70LF	70ns	STSOPI 32L 8x13.4	2.7~3.6V
2Mb	x8	EM620FV8BS-45LF	45ns	STSOPI 32L 8x13.4	2.7~3.6V
2Mb	x8	EM620FV8BS-55LF	55ns	STSOPI 32L 8x13.4	2.7~3.6V
2Mb	x16	EM620FV16B-45LF	45ns	BGA 48B 6x7x1.0	2.7~3.6V
2Mb	x16	EM620FV16B-55LF	55ns	BGA 48B 6x7x1.0	2.7~3.6V
2Mb	x16	EM621FV16BU-55LF	55ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
2Mb	x16	EM621FV16BU-45LF	45ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
2Mb	x16	EM621FV16B-45LF	45ns	BGA 48B 6x7x1.0	2.7~3.6V
2Mb	x16	EM621FV16B-55LF	55ns	BGA 48B 6x7x1.0	2.7~3.6V
2Mb	x8	EM621FV8BS-55LF	55ns	STSOPI 32L 8x13.4	2.7~3.6V
2Mb	x8	EM621FV8BS-45LF	45ns	STSOPI 32L 8x13.4	2.7~3.6V
1Mb	x8	EM610FV8S-45LF	45ns	STSOPI 32L 8x13.4	2.7~3.6V
1Mb	x8	EM610FV8S-55LF	55ns	STSOPI 32L 8x13.4	2.7~3.6V
1Mb	x16	EM610FV16U-45LF	45ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
1Mb	x16	EM610FV16U-55LF	55ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
1Mb	x8	EM610FV8T-45LF	45ns	TSOPI 32L 8x20	2.7~3.6V
1Mb	x8	EM610FV8T-55LF	55ns	TSOPI 32L 8x20	2.7~3.6V
1Mb	x8	EM610FV8T-70LF	70ns	TSOPI 32L 8x20	2.7~3.6V
1Mb	x16	EM611FV16U-45LF	45ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
1Mb	x16	EM611FV16U-55LF	55ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
1Mb	x16	EM611FV16U-70LF	70ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V

 

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