串行SRAM
串行SRAM是一款独立的非挥发性存储器芯片，能够以低成本且简单的方式被设计者向应用中添加更多RAM,8个引脚，低功耗，高性能的串行SRAM器件的擦写次数没有限制且写入时间为零，适合数据传输，缓存，数据记录，互联网，图形缓存以及其他数据功能的应用。容量可达64 Kb至1 Mb的容量，支持SPI、SDI和SQI总线模式。

串行NVSRAM
串行NVSRAM提供了一种非易失性RAM存储方案，非常适合需要经常向存储器写入数据的应用。 该器件的成本大大低于其他非易失性RAM器件，通过外部电池来备份数据。 该8引脚SPI器件支持对存储阵列执行无限次瞬时写入操作，是计量、数据采集器、数据记录器和黑盒子等应用的理想之选。 这些器件可提供512 Kb和1 Mb容量。

串行NVSRAM对于经常需要向存储器写入数据的应用提供了一种非易失性的RAM的存储方案，成本远远低于其他非易失性RAM器件，通过外部电池来备份数据，该器件还支持对存储无限次瞬时写入操作，可以应用于数据采集器，计量，黑盒子和数据记录器，容量可提供512 Kb和1 Mb容量。

串行SRAM为向应用添加RAM提供了一种简单低成本的方式，这些器件采用8引脚的封装并同时有SPI接口，可以在设计中提供更多灵活性，串行NVSRAM器件提供了低成本的非易失性SRAM或者FRAM存储解决方案，串行NVSRAM除了有低功耗的设计还支持对存储阵列执行无限次瞬时写入操作，并且断电时可以通过外部电池自动备份存储数据。

扩展RAM的方式
1.    使用RAM资源更大的单片机，如果是为了获取更大的RAM资源，会增加不必要的成本，
2.    使用外部并行RAM，但是并行RAM一般封装都比较大，至少需要16-20个I/O。占用了单片机的资源。
3.    串行SRAM现在支持向设计中灵活添加RAM，而不会带来大型单片机或并行RAM的缺点，它使用简单的4引脚SPI接口。 SDI和SQI接口可将数据速率提高4倍，这些器件还会通过这两个接口来提升性能。



与其他存储器技术相比的优势：

串行SRAM为客户提供了成本最低的RAM扩展解决方案。 串行SRAM器件支持5V电压，具有易于使用的SPI接口并采用小型8引脚封装，非常适合需要额外RAM的应用或是可将数据缓冲、数据记录、图形、数学、音频和视频等重复的数据密集型功能交由片外存储器处理的应用。 串行SRAM可提供64 Kb至1 Mb的容量。
串行NVSRAM的成本明显低于其他任何并行、串行的NVSRAM或FRAM。 串行NVSRAM使用外部电池来实现非易失性存储。 这对于计量、黑盒子和其他数据记录等应用非常有益，这些应用需要擦写次数没有限制或需要瞬时写入以及非易失性存储。 串行NVSRAM可提供512 Kb至1 Mb的容量。
 

串行SRAM和NVSRAM在尺寸、电压、速度、功耗和成本等方面带来了诸多优势。
串行SRAM总线模式——SPI、SDI和SQI：
串行SRAM器件设计用于通过标准SPI接口以20 MHz的频率工作。 在512 Kb和1 Mb器件上，SO和SI（引脚2和引脚5）与SIO2和SIO3（引脚4和引脚7）设计用作双向I/O引脚。
在SQI模式下，全部4个引脚（引脚2、4、5和7）均配置为可随时高效进行读或写操作，确保在一个时钟周期内通过总线传输4位，这实际上会获得4倍数据速率。例如，标准SPI模式下需花费40个时钟周期才能完成的任务现在可以在40/4 = 10个时钟周期内完成。 需要快速传输大量数据时，该功能十分有用。
在SDI模式下，只有两个引脚（引脚2和引脚5）配置为双向I/O引脚，可获得最高2倍的数据速率。 我们的标准512 Kb和1 Mb SRAM器件可在SDI和SQI模式下使用。
相同尺寸的相同器件可用于SDI和SQI。

下图给出了在SPI、SDI和SQI模式下以20 MHz向23LC1024 1 Mb SPI SRAM写入128 KB存储内容所需的时间。 从中可看出，SQI比标准SPI快75%。

 

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