微控制器单片机需要外扩片内资源,一般来说单片机目前有两种外扩RAM资源的模式,一种是采用并口接口,另外一种是采用串口接口,而串口接口目前是应用的比较少的一种外扩ram模式,这为什么呢,因为从传统的存储器件的设计里面,并口接口从一开始一直被使用开来,在很多应用中被广泛的使用,随着物联网时代的开启,在应用设计中发现并口接口有时候在不确定其他的特性的要求下,或者应用对于外扩ram整体要求不是特别高的时候,可以采用串口接口的方式对外拓展RAM资源,这也是为什么串口sram是在近几年才被提出,
串口sram目前容量有64Mbit,速度快,功耗低,符合多数单片机或者其他应用外扩RAM资源的要求,如我司代理品牌VTI科技有限公司的串口sram产品可以说充分的补充了市场上的空白,外扩SRAM可以通过使用SPI的接口来将外部RAM添加到几乎所有应用中。与传统并行SRAM相比,这些串行器件具有更低的功耗和更少的I/O连接。一个小巧、能够只扮演缓存的角色、并能使用最小数量的引脚相连的外置SRAM。
串口SRAM就是专为满足这个要求而量身定做的。存储器在高速性能并非最重要因素的其它存储器(DRAM、闪存等)中,串行接口已经取代了并行接口。由于存在需要SRAM的应用,串口SRAM在SRAM市场中一直处于小众地位。在空间非常有限的特定应用中,它们一直是低功耗、小尺寸替代方案。
以下是串口SRAM的产品型号参考:
Density |
Organization |
Part NO. |
Vcc(V) |
Speed(MHz) |
Bus Modes |
Temp. |
Package |
64Mbit |
8M x 8 |
VTI7064LSM |
1.8 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
64Mbit |
8M x 8 |
VTI7064LSM |
1.8 |
133 |
SQI |
C,I |
8-SOIC |
64Mbit |
8M x 8 |
VTI7064MSM |
3 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
64Mbit |
8M x 8 |
VTI7064MSM |
3 |
133 |
SQI |
C,I |
8-SOIC |
32Mbit |
4M x 8 |
VTI7032LSM |
1.8 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
32Mbit |
4M x 8 |
VTI7032LSM |
1.8 |
133 |
SQI |
C,I |
8-SOIC |
16Mbit |
2M x 8 |
VTI7016LSM |
1.8 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
16Mbit |
2M x 8 |
VTI7016LSM |
1.8 |
133 |
SQI |
C,I |
8-SOIC |
1Mbit |
128K x 8 |
VTI7001LSM |
1.8 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
1Mbit |
128K x 8 |
VTI7001NSM |
3.3 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
512Kbit |
64K x 8 |
VTI7512LSM |
1.8 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
512Kbit |
64K x 8 |
VTI7512NSM |
3.3 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
256Kbit |
32K x 8 |
VTI7256LSM |
1.8 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
256Kbit |
32K x 8 |
VTI7256NSM |
3.3 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
128Kbit |
16K x 8 |
VTI7128LSM |
1.8 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
128Kbit |
16K x 8 |
VTI7128NSM |
3.3 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
本文关键词:
串口sram
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