GD32F205RCT6是基于Cortex M3内核32bit(位)通用型MUC产品，主频为120MHz, 片内闪存(Flash) 最大为256KB, RAM最大为128KB, 供电电压范围为2.6V-3.6V,内核的供电电压为1 .2V, l/O口可承受5V电平，内嵌实时时钟(RTC) 和2个看门狗(WDG)， 集成了丰富的外设功能，这款单片机GD32F205RCT6面向工业和消费类嵌入式应用，适用于工业自动化、人机界面、电机控制、安防监控、智能家居家电及物联网等,  

      单片机GD32F205RCT6内置SRAM为128KB的内存，但在面对实际上的应用设计中，如果出现单片机内置SRAM内存不够的情况，大部分设计人员会考虑外扩SRAM，SRAM在速度是要比nor flash跟SDRAM要快，也不存在读写限制的问题，确实是考虑外扩内存的首选，但如果采用并口外扩内存需要较多的MCU管脚，给MCU无形中带来了更多功能性的限制，并且也并非大部分的MCU可以支持， 如果采用串行SRAM作为单片机外扩的资源，相对来说更好，串行SRAM只需要八个管脚，SOP-8的封装可以让PCBA减少一定的面板面积，

      GD32F205RCT6这款MCU是支持SPI接口的，并且有三个SPI，可以通过用SPI接口外扩串行SRAM对单片机进行内存的拓展。串行SRAM其实严格来说是一种伪静态SRAM，也有人叫做PSRAM, PSRAM - Pseudo SRAM是一种具有SRAM接口协议（无需刷新，无需DRAM控制器）、具有DRAM单管存储结构的存储器，比SRAM容量大很多，价格便宜很多，比SDRAM容易使用，功耗也低很多。不失为外扩单片机内存的一种解决方案。

      我司推荐一款串行SRAM,容量为8MB并有高达50MB/s的带宽。只需要由SPI或QPI接口并可以使用，可以提供400MB/s或者3.2Gbps的数据吞吐速率。

以下为型号参考：

Density	Organization	Part NO.	Vcc(V)	Speed(MHz)	Bus Modes	Temp.	Package
64Mbit	8M x 8	VTI7064LSM	1.8	104	SQI	C,I	8-SOIC
64Mbit	8M x 8	VTI7064LSM	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC
64Mbit	8M x 8	VTI7064MSM	3	104	SQI	C,I	8-SOIC
64Mbit	8M x 8	VTI7064MSM	3	20	SPI	C,I	8-SOIC
32Mbit	4M x 8	VTI7032LSM	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC
32Mbit	4M x 8	VTI7032LSM	1.8	133	SQI	C,I	8-SOIC
16Mbit	2M x 8	VTI7016LSM	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC
16Mbit	2M x 8	VTI7016LSM	1.8	133	SQI	C,I	8-SOIC
1Mbit	128K x 8	VTI7001LSM	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC
1Mbit	128K x 8	VTI7001NSM	3.3	20	SPI	C,I	8-SOIC
512Kbit	64K x 8	VTI7512LSM	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC
512Kbit	64K x 8	VTI7512NSM	3.3	20	SPI	C,I	8-SOIC
256Kbit	32K x 8	VTI7256LSM	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC
256Kbit	32K x 8	VTI7256NSM	3.3	20	SPI	C,I	8-SOIC
128Kbit	16K x 8	VTI7128LSM	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC
128Kbit	16K x 8	VTI7128NSM	3.3	20	SPI	C,I	8-SOIC

本文关键词：SRAM

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