并口串口pSRAM芯片ISSI一级总代理 - SRAM_MRAM_PSRAM_VTI_NETSOL_JSC_Everspin代理_RAM存储解决商

伪静态存储器（Parrallel pSRAM）的设计是用于直接替代静态随机存储器（SRAM），即使内部存储器的操作并非静态。商业化的两种伪静态存储器分别是伪静态随机存储器（PSRAM）及铁电随机存储器（F—RAM）。PSRAM针对慢速SRAM应用；当纯粹计算每个位的成本时具有竞争优势。F-RAM针对电池后备SRAM（即BBSRAM）应用，在系统成本及产品供应方面具有竞争力。F-RAM还有一个目标用途是用于非易失性数据获得，在这种应用中可以提供卓越的性能。

ISSI是一家专门设计，开发，销售高性能PSRAM存储芯片半导体产品的，PSRAM产品有8Mb/16Mb/32Mb/64Mb四种容量，封装为BGA，可用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。可用JSC,VTI等品牌进行PIN to PIN替换兼容。该品牌非我司代理产品线

Density	Org	Part Number	Vcc	Speed(ns)	Pkg(Pins)	PDF下载
64Mb	4Mx16	IS66WVE4M16ALL	1.7-1.95V	70	TFBGA(48)	暂无
64Mb	4Mx16	IS66WVC4M16ALL	1.7-1.95V	70	VFBGA(54)	暂无
64Mb	4Mx16	IS66/67WVC4M16EALL	1.7-1.95V	70	VFBGA(54)	暂无
64Mb	4Mx16	IS66/67WVC4M16ECLL	1.7-1.95V	70	VFBGA(54)	暂无
64Mb	4Mx16	IS66WVD4M16ALL	1.7-1.95V	70	VFBGA(54)	暂无
64Mb	4Mx16	IS66/67WVE4M16EALL/EBLL/ECLL	1.7-1.95V/ 2.7-3.6V	70	TFBGA(48)	暂无
64Mb	4Mx16	IS66/67WVE4M16TALL/TBLL/TCLL	1.7-1.95V/ 2.7-3.6V	70	TFBGA(48)	暂无
32Mb	2Mx16	IS66/67WVC2M16EALL	1.7-1.95V	70	VFBGA(54)	暂无
32Mb	2Mx16	IS66/67WVC2M16ECLL	1.7-1.95V	70	VFBGA(54)	暂无
32Mb	2Mx16	IS66/67WVE2M16EALL/EBLL/ECLL	1.7-1.95V/ 2.7-3.6V	70	TFBGA(48)	暂无
16Mb	1Mx16	IS66/67WV1M16EBLL	1.7-1.95V	70	mBGA(48)	暂无
16Mb	1Mx16	IS66/67WVC1M16EALL	1.7-1.95V	70	VFBGA(54)	暂无
16Mb	1Mx16	IS66WVD1M16ALL	1.7-1.95V	70	VFBGA(54)	暂无
16Mb	1Mx16	IS66/67WVE1M16EALL/EBLL/ECLL	1.7-1.95V/ 2.7-3.6V	70	TFBGA(48)	暂无
8Mb	512Kx16	IS66/67WV51216EBLL	1.7-1.95V	70	TSOP2(44),mBGA(48)	暂无
8Mb	512Kx16	IS66/67WVE51216EALL/EBLL/ECLL	1.7-1.95V/ 2.7-3.6V	70	TFBGA(48)	暂无

Tel