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everspinEverspin MRAM是一种具有革命性的存储器，其原理是利用电子自旋的磁性结构，来提供不会产生损耗的非挥发特性。Everspin MRAM可在集成了硅电路的磁性材料中存储信息，以在单一、可无限使用的组件中提供SRAM的速度以及闪存的非挥发特性。Everspin是从飞思卡尔半导体公司分离出来的一家独立公司。2006年，Everspin推出业界第一款商业化MRAM产品。今日，Everspin MRAM已广泛用在数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输、和航空电子领域。

Everspin Technologies MR25H256 / MR25H10 / MR25H40 SPI串行MRAM具有兼容串行EEPROM和串行闪存的读/写时序，没有写入延迟，而且耐读/写能力出色。与其他串行存储器不同，这些存储器的读/写操作可以是随机的，而且没有写入延迟。 
采用5 mm x 6 mm 8引脚DFN封装或5 mm x 6 mm 8引脚DFN Small Flag封装，并且都与闪存、串行EEPROM和FeRAM产品兼容。
Density Org. Part Number Pkg. Voltage Temp Order Multiple /Tray Order Multiple / T&R MOQ / Tray MOQ / T&R PDF下载
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