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主页 › 产品中心其它产品MemoryOctaRAM
CellularRAM(简称CRAM)存储器是一种合并DRAM和SRAM的伪静态DRAM(pSRAM)设备采用SRAM架构,隐藏刷新操作,同时兼容SRAM引脚,这种混合内存提供了最好的SRAM和DRAM的特点,结合低功耗和高速读写函数,还同时提供同步操作,存储速度快,可变延迟初始的突发访问,可以提高吞吐量和优异IDE性能。
JSC济州半导体是全球最大的移动应用解决方案提供商之一的SRAM
由于济州半导体出道到SRAM(静态随机存取存储器)和4M SRAM的2001市场,济州半导体持续实施全系列低功耗SRAM产品通过1M、2M、4M至8M SRAM。
济州半导体的SRAM是建立在强大的6晶体管存储单元的技术,可以在非常低的功耗的快速存取时间。济州半导体存储器产品已被公认为最强大的低功耗存储解决方案,可以稳定地运行任何严谨的环境下可以通过移动手机。济州半导体是由世界领先的手机制造商公认的一个最可靠的SRAM制造商。除了手机应用,济州半导体SRAM SRAM提供产品应用在全世界。
Density KGD Part Number PKG Part Number Voltage Max Speed Page Mode DPD Mode Package Type PDF下载
128Mb JSC28SSP8AG JSC28SSP8AGDY-50I 1.8V 200MHz Non O 24B BGA 6x8mm 暂无
128Mb JSC28SSU8AG JSC28SSU8AG 3.0V 133MHz Non O KGD 暂无
128Mb JSC28SSP8AG JSC28SSP8AG 1.8V 200MHz Non O KGD 暂无
128Mb JSC28SSU8AG JSC28SSU8AGDY-75I 3.0V 133MHz Non O 24B BGA 6x8mm 暂无
64Mb JSC64SSU8AG JSC64SSU8AG 3.0V 133MHz Non O KGD 暂无
64Mb JSC64SSP8AG JSC64SSP8AGDY-50I 1.8V 200MHz Non O 24B BGA 6x8mm 暂无
64Mb JSC64SSU8AG JSC64SSU8AGDY-75I 3.0V 133MHz Non O 24B BGA 6x8mm 暂无
64Mb JSC64SSP8AG JSC64SSP8AGI 1.8V 200MHz Non O KGD 暂无
64Mb JSC64SSP8AG JSC64SSP8AGM 1.8V 200MHz Non O KGD 暂无
64Mb JSC64SSU8AG JSC64SSU8AGM 3.0V 133MHz Non O KGD 暂无
64Mb JSC64SSP8AG JSC64SSP8AG 1.8V 200MHz Non O KGD 暂无
64Mb EMC643SP16CKx EMC643SP16CKY-70LFx 1.8v 133MHz -- RCR-DPD 54B FBGA 6x8mm 暂无
64Mb EMC643SP16BKx EMC643SP16BKY-70LFx 1.8v 133MHz -- RCR-DPD 54B FBGA 6x8mm 暂无
64Mb EMC646SP16BKx EMC646SP16BKY-70LFx 1.8v 133MHz -- RCR-DPD 54B FBGA 6x8mm 暂无
32Mb EMC323SP16BKx EMC323SP16BKY-70LFx 1.8v 133MHz Non RCR-DPD -- 暂无
32Mb EMC326SP16BKx EMC326SP16BKY-70LFx 1.8v 133MHz Non RCR-DPD -- 暂无
16Mb EMC326SP16BKx EM7164SP16CSP-70LFI 1.8v 133MHz -- -- -- 暂无
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