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X型随机存储器，是基于TLC DRAM（三态 DRAM）和RFDRAM（免刷新DRAM）专利技术而成的新型存储器。不同于传统的DRAM和SRAM, XRAM 具有以下几个技术特点：
1、数据读取速率快于DRAM产品10倍，延时只有10ns左右；
2、容量覆盖Megabit到Gigabit；
3、可以节省40%左右的存储阵列功耗；
4、从用户端不需要考虑刷新机制，可以随时访问。
XM6A系列产品采用DRAM接口并结合独有的XRAM免刷新专利技术，支持DDR3高速带宽,提供10ns级别的读写延迟速度,完全不需要DRAM的刷新机制，与SRAM接口应用类似，并提供BGA144和BGA96两种封装，容量从144Mb到36Mb，可满足各种高速度、低延时、高可靠性的应用。 
Density PartNumber BW bit Vdd Interface Speed(MHz) Package Status PDF下载
144Mb XM8A04M36V18A X36 1.5/1.8V Common I/O 400/533/600 BGA96/144 2Q19 暂无
144Mb XM8A08M18V18A X18 1.5/1.8V Common I/O 400/533/600 BGA96/144 2Q19 暂无
72Mb XM6A02M36V18A X36 1.5/1.8V Common I/O 400/533/600 BGA96/144 2Q19 暂无
72Mb XM8A04M18V18A X18 1.5/1.8V Common I/O 400/533/600 BGA96/144 2Q19 暂无
36Mb XM6A01M36V18A X36 1.5/1.8V Common I/O 400/533/600 BGA96/144 2Q19 暂无
36Mb XM8A02M18V18A X18 1.5/1.8V Common I/O 400/533/600 BGA96/144 2Q19 暂无
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