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LPDRAM 有几种 Block Refresh PASR(部分阵列自刷新、自动 TCSR(温度补偿自刷新)根据芯片温度改变刷新周期、根据使用情况改变驱动器强度的模式、DPD 深度掉电)模式等。
JSC在物联网市场拥有强大的全球竞争力,专注于存储半导体的整体解决方案。
JSC 迈向成功的第一步始于 2000 年专注于移动内存的开发——这使得 JSC 的技术能力获得了无数全球知名移动公司的认可。LPDRAM 有几种 Block Refresh PASR(部分阵列自刷新、自动 TCSR(温度补偿自刷新)根据芯片温度改变刷新周期、根据使用情况改变驱动器强度的模式、DPD 深度掉电)模式等。
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JSDA2G324PJ-50x 2Gb x32 1.7~1.95V 200Mhz 90B(8x13mm) M/P 暂无
JSD1G164PAH-50x 1Gb x16 1.7~1.95V 200Mhz 60B(8.9mm) M/P 暂无
JSD12324PAJ-50x 512Mb x32 1.7~1.95V 200Mhz 60B(8x13mm) M/P 暂无
JSD12164PAH-50x 512Mb x16 1.7~1.95V 200Mhz 60B(8xc9mm) M/P 暂无
JSD12164PADZ-50x 512Mb x16 1.7~1.95V 200Mhz WLCSP72(3.625x4.166mm) C/S 暂无
JSD12324PAJ-50x 512Mb x32 1.7~1.95V 200Mhz 90B(8x13mm) M/P 暂无
JSD12324PABK-50x 512Mb x32 1.7~1.95V 200Mhz 107B(4.4x4.7mm) M/P 暂无
EMD56164PBH-60x 256Mb x16 1.7~1.95V 166Mhz 60B(8x9mm) M/P 暂无
EMD56164PCH-60x 256Mb x16 1.7~1.95V 166Mhz 60B(8x9mm) M/P 暂无
EMD28164PCH-60x 128Mb x16 1.7~1.95V 166Mhz 60B(8x9mm) M/P 暂无
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