JSC在物联网市场拥有强大的全球竞争力,专注于存储半导体的整体解决方案。
JSC 迈向成功的第一步始于 2000 年专注于移动内存的开发——这使得 JSC 的技术能力获得了无数全球知名移动公司的认可。LPDRAM 有几种 Block Refresh PASR(部分阵列自刷新、自动 TCSR(温度补偿自刷新)根据芯片温度改变刷新周期、根据使用情况改变驱动器强度的模式、DPD 深度掉电)模式等。
Part Number |
Density |
Data width |
Voltage |
Option |
Max Frequency |
Status |
PDF下载 |
JSD1G164PA |
1Gb |
x16 |
1.7~1.95V |
LPDDR |
200Mhz |
M/P |
暂无 |
JSD1G324PA |
1Gb |
x32 |
1.7~1.95V |
LPDDR |
200Mhz |
M/P |
暂无 |
JSL22G328WA |
2Gb |
x32 |
1.2V |
LPDDR2 |
400Mhz |
M/P |
暂无 |
JSD12164PA |
512Mb |
x16 |
1.7~1.95V |
LPDDR |
200Mhz |
M/P |
暂无 |
JSD12324PA |
512Mb |
x32 |
1.7~1.95V |
LPDDR |
200Mhz |
M/P |
暂无 |
JSL212324WAM |
512Mb |
x32 |
1.7~1.95V |
LPDDR2 |
400/533Mhz |
M/P |
暂无 |
EMD56164PC |
256Mb |
x16 |
1.7~1.95V |
LPDDR |
200Mhz |
M/P |
暂无 |
JSA28562PA |
128Mb |
x256 |
1.7~1.95V |
T2M |
/ |
M/P |
暂无 |
JSA64642PB |
64Mb |
x64 |
1.7~1.95V |
T2M |
/ |
M/P |
暂无 |