MRAM的优异性能

‘非易失性’是指MRAM单元在关断电源后仍可保持完整记亿,功能虽与闪存类同,但本质各异。闪存的非易失性不是闪存的固有属性,而是靠两个闪存反相器交叉耦合组成，也就是由晶体管、电阻及电容等元器件组合而成的记忆单元,实际上是靠微小电容器存储的一份电荷来保存信息,如果断电则这份电荷就会耗尽。但MRAM单元却简单多了，它的四层薄膜中有三层都是铁磁性材料,写入自由层的数据:0或Ⅰ状态,设置的原理基于磁性材料固有的磁滞效应具有永久性,这是铁磁性材料的固有属性,因此在突然断电时也不会丢失信息,存入数据的非易失性自然得到保证。而且保存数据并不耗电。
 
随机存取
‘随机存取’是指中央处理器读取资料时不必从头开始，随时可用相同的速率从MRAM芯片的任何部位读取信息，这与当前计算机在开机时须重新从硬盘向RAM内存装载信息不同,因mram芯片在关机前已将程序和数据保存在本地内存之中。因此MRAM芯片取消计算机开机的等待时间,也就是启动快。而且随机存取速率也快,因为MRAM元件是一个单体,数据存储以磁畴取向为依据,存‘0’或‘1’，原理简明、运行快捷。不像闪存那样随机存取有赖于晶体管的导通、截止以及电路传输。
 
存储密度
MRAM与闪存都属于小规格芯片,所占空间极小,存储密度随着集成技术工艺的发展而增加。集成技术工艺已从亚微米工艺进入到纳米工艺，因此MRAM的体积也越来越小,存储密度必随之增加。
 
低功耗
MRAM单元的功耗很低，存储单元的工作电压只有闪存EEPROM的十分之一左右,而且断电后保存数据不需耗电。
 
MRAM被认为是目前能同时满足计算机内存四项要求:‘非易失性、随机存取速率高、数据存储密度高以及耗电功率低'的最佳器件,因而受到业内人士的广泛关注,各大企业竞相开发,力争产品早日面世。

Everspin是设计制造和商业销售离散和MRAM和STT-MRAM的翘楚，其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。Everspin在数据中心和云存储及能源，工业，汽车和运输市场中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品，在包括40nm，28nm及更高工艺在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ ST-MRAM生产。Everspin代理商英尚微电子可提供驱动、例程和必要的FAE支持。


EVERSPIN MRAM型号

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	MOQ / Tray	MOQ / T&R
4Mb	512Kx8	MR25H40CDC	8-DFN	3.3V	Industrial	1,140	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDCR	8-DFN	3.3v	Industrial	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	1,140	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40MDF	8-DFN sf	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	1,140	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40MDFR	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40VDF	8-DFN sf	3.3v	Extended	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40VDFR	8-DFN sf	3.3v	Extended	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR20H40CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	1,140	4,000
4Mb	512Kx8	MR20H40CDFR	8-DFN sf	3.3V	Industrial	1,140	4,000

 
 
本文关键词：MRAM  

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