中国在3D NAND存储器存储技术取得阶跃性的突破和创新

      近日，中国科学院微电子研究所雨长江存储科技有限责任公司（下文简称“长江存储”）共同研发的3D NAND存储器研发项目获得新进展。据长江存储CEO杨士宁讲解，32层3D NAND芯片成功通过电学特性等各项指标测试，达到预期标准。    
      这款存储器芯片由微电子所三维存储器研发中心与长江存储联合开发，在资深技术总监霍宗亮的率领下，成功达到了工艺器件和电路设计的整套技术验证，向产业化道路迈出具有重要意义的关键一步。
在市场需求的影响下，存储芯片成为了电子市场份额最大的集成电路产品。我国在存储器芯片领域长期面临市场需求量大但技术缺乏只能依靠进口的困境，当务之急就是开发大容量存储技术的研究和相关产品研制。传统平面型NAND存储器在降低成本的同时面临单元间串扰加剧和单字位成本增加等技术难题。探索存储技术阶跃性的突破和创新，是发展下一代存储器的主流思路。
      3D NAND是革新性的半导体存储技术，通过增加存储叠层实现存储密度增长，从而增加了存储技术的发展空间，但3D NAND结构的高度复杂性给工艺制造带来全新的挑战。经过长时间的不懈努力，工艺团队攻克了高深宽比刻蚀、叠层薄膜沉积、高选择比刻蚀、金属栅形成以及双曝光金属线等关键技术难点，为实现多层堆叠结构的3D NAND阵列打下坚实基础。
                                               
      在电路设计方面，堆叠三维阵列的集成研发面临比平面型NAND更复杂的技术问题，需要结合三维器件及阵列结构特点进行分析和优化。设计团队对三维存储结构进行建模，采用根据层数可调制的编程、读取电压配置，补偿了器件特性随阵列物理结构的分布差异，降低了单元串扰影响。并且，应用了诸多创新性的先进设计技术，保证了芯片达到产品级的功能和性能指标。
      3D NAND存储器芯片研发系列工作得到了国家集成电路产业基金、紫光控股、湖北省国芯投资、湖北省科投的大力支持。

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