富士通FRAM技术和工作原理

存储设备（主要指存储数据的半导体产品）通常分为两种类型。一种是“易失性存储器”——数据在断电时消失，如DRAM。另一种类型则是“非易失性存储器”——数据在断电时不会消失，这意味着数据一旦被写入，只要不进行擦除或重写，数据就不会改变。FRAM是一种与Flash相同的非易失性存储器。
 
富士通FRAM技术和工作原理
 
FRAM是运用铁电材料（PZT等）的铁电性和铁电效应来进行非易失性数据存储又可以像RAM一样操作。
 
•当一个电场被加到铁电晶体时，中心离子顺着电场的方向在晶体里移动，当离子移动时，它通过一个能量壁垒，从而引起电荷击穿。内部电路感应到电荷击穿并设置记忆体。
 
•移去电场后中心离子保持不动，记忆体的状态也得以保存。
 
•材料本身的迟滞特性的两个稳定点代表0或1的极化值。
   
FRAM的特点
 
独特性能成就技术“硬核”，FRAM是存储界的实力派。除非易失性以外，FRAM还具备三大主要优势：高读写入耐久性、高速写入以及低功耗，这是绝大多数同类型存储器无法比拟的。
   
其中FRAM写入次数寿命高达10万亿次、而EEPROM仅有百万次(10^6)。同时，FRAM写入数据可在150ns内完成、速度约为EEPROM的1/30,000，写入一个字节数据的功耗仅为150nJ、约为EEPROM的1/400，在电池供电应用中具有无与伦比的优势。
   
富士通FRAM凭借高读写耐久性、高速写入和超低功耗的独特特质，近年来在Kbit和Mbit级小规模数据存储领域开始风生水起，在各种应用领域频频“露脸”并大有斩获，这就是铁电存储器FRAM。富士通代理英尚微电子可为客户提供产品相关技术支持。
 

本文关键词： FRAM  富士通

相关文章：FRAM在电池管理系统BMS应用

深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商，十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
英尚微电子中国区指定的授权代理：VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半导体品牌的专业分销商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。