Everspin MRAM非易失性存储器在太空探索中获得应用

Everspin半导体为环境苛刻的应用，如军事、航空航天、工业和汽车系统等提供非易失性存储技术。Angstrom Aerospace在其磁力计子系统中使用Everspin的温度范围更大的4Mbit，该系统将被搭载在日本的一颗研究卫星发射进入太空。
 
在数据存储的可靠性和持久性方面，同类产品无法与Everspin的MRAM产品相比， Everspin的4mbit MRAM器件取代了SpriteSat的Angstrom模块中的闪存和以电池为电源的SRAM。能够在卫星研发工作的不同阶段重新配置关键程序和路线定义，这是一项非常了不起的优势。
 
Angstrom Aerospace之所以选择Everspin的4Mbit MRAM器件，是因为它集合了众多优点，如非易失性内存、扩展的温度操作、耐力持久以及长时间数据保留（即使在断电的情况下）。MRAM能够在一块内存上保存程序数据和FPGA配置数据，让Angstrom Aerospace将所有存储需求缩减到一个芯片上，从而降低了主板区域。同时MRAM存储的灵活性也使得系统能够在太空中进行重新配置。
 
MRAM温度范围的扩大为恶劣环境中的系统设计（如TAMU）提供了独特的高温和高可靠性，MRAM的优势还延伸到运输和工业市场，在这一领域，Everspin正在与那些需要大量快速且经济高效的内存的开发人员合作，这些内存是非常理想的非易失性内存，可进行大量读写循环。
 
除了Angstrom Aerospace的MRAM部署外，航空航天和国防领域内的一些世界领先OEM的专业组件设计、开发和制造商e2v也宣布使用Everspin的MR2A16A产品。该公司已经发布了一个可靠性扩展版本，该版本在整个军事温度范围都能以百分百的性能水平操作，可以很好地满足航空电子、国防和航空航天应用的要求。同时霍尼韦尔公司签署协议，许可MRAM技术在军事和航天应用中使用，直到今天，他们继续围绕这一技术构建产品。
 
MR2A16A提供SRAM兼容的35 ns读/写时序，具有无限的耐久性。数据在20年以上始终是非易失性的。低压禁止电路可自动在断电时保护数据，以防止在不符合规定的电压情况下进行写操作。对于必须快速永久存储和检索关键数据和程序的应用，MR2A16A是理想的存储器解决方案。MR2A16A在很宽的温度范围内提供高度可靠的数据存储。
 
Everspin MR2A16A 4Mbit 产品是世界上的第一款商用MRAM器件。由于很多顾客都在寻求用一粒单片取代闪存、SRAM和EEPROM的替代方案，消除SRAM的电池备份，Everspin的MRAM产品已迅速成为首选解决方案。它们提供了在苛刻环境中顺利完成这一任务所需的耐力、速度和可靠性。Everspin代理英尚微电子可为用户提供产品相关技术支持及应用解决方案。

MR2A16A型号表

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	MOQ(pcs)/ T&R
4Mb	256Kx16	MR2A16AYS35	44-TSOP	3.3V	Commercial	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	Industrial	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16AVYS35	44-TSOP2	3.3V	Extended	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35	44-TSOP2	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16AMA35	48-BGA	3.3V	Commercial	2,000
4Mb	256Kx16	MR2A16ACMA35	48-BGA	3.3V	Industrial	2,000
4Mb	256Kx16	MR2A16AVMA35	48-BGA	3.3V	Extended	2,000
4Mb	256Kx16	MR2A16AVYS35R	44-TSOP2	3.3v	Extended	1500
4Mb	256Kx16	MR2A16AVMA35R	48-BGA	3.3v	Extended	2000
4Mb	256Kx16	MR2A16ACMA35R	48-BGA	3.3v	Industrial	1500
4Mb	256Kx16	MR2A16ACYS35R	44-TSOP2	3.3v	Industrial	2000
4Mb	256Kx16	MR2A16AYS35R	44-TSOP2	3.3v	Commercial	1500
4Mb	256Kx16	MR2A16AMA35R	48-BGA	3.3v	Commercial	2000
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35R	44-TSOP2	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	1500

本文关键词：MRAM    MR2A16A

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