各大厂抢进3D NAND致存储器价格大涨

      据外国媒体报道，自2016年下半年以来NANDFlash在市场上供不应求，主要是因为原厂全力调拨2DNANDFlash产能转进3DNAND，但3DNAND生产良率不如预期，2DNAND供给量又因产能排挤缩小，NANDFlash市场出现缺货现象，价格也因此直线飙升。
      但是， 3DNAND正在加速量产，今年下半年产能如果能够顺利开出，将成为NANDFlash市场最大变数。
2DNANDFlash制程持续往1y／1z纳米进行微缩，例如三星和SK海力士去年已转进14 nm，西部数据（WD）和东芝进入15nm，美光导入16 nm等。但因芯片线宽线距已达物理极限，2DNAND技术发展遇到了瓶颈，用1y／1z纳米生产的2DNAND不能产生成本效益，于是，NANDFlash厂开始将投资主力放在3DNAND，但也因产能出现问题，NANDFlash产出量明显减少，导致下半年价格一路飙升。
      2016年NANDFlash价钱从第二季度开始全面上升，涨势持续到年末，主流的SSD价格涨幅超过40%，eMMC价格涨幅最高逼近6成，完全出乎市场意料。在这样的情况下，原厂为了维持竞争优势，决定加速进入3DNAND市场，而今年也会成为3DNAND市场快速成长爆发的一年，产能军备竞赛可说是剑拔弩张。
      以各原厂的技术进程来看，三星上一年进度最快已成功量产3DNAND，2016年底出货量占比已达35％，最先进的64层芯片将在今年第1季放量投片，3DNAND的出货比重将在第一季度达到45％。此外，三星不仅在西安厂全面量产3DNAND，韩国Fab17／18也将投入3DNAND量产。
      包括东芝及WD、SK海力士、美光等其它业者，去年是3DNAND制程转换不顺的一年，良率直到去年底才见稳定回升，生产比重均不及1成。不过，今年开始3DNAND量产情况已明显好转，东芝及WD已开始小量生产64层存储芯片，今年生产主力将开始移转至64层3DNAND，除了Fab5开始提高投片外，Fab2将在本季转进生产64层3DNAND，Fab6新厂将动土兴建并预估2018年下半年量产。
      SK海力士去年在36层及48层3DNAND的生产上已渐入佳境，M12厂已量产3DNAND，今年决定提升至72层，将在第1季送样，第2季进入小量投片，而韩国M14厂也将在今年全面进入3DNAND量产阶段。
      美光与英特尔合作的IMFlash已在去年进行3DNAND量产，去年底第二代64层3DNAND已顺利送样，今年将逐步进入量产，F10x厂 也会开始全面转向进行3DNAND投片。英特尔大陆大连厂则已量产3DNAND，并将在今年开始量产新一代XPoint存储器。
 

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