今年全球半导体资本支出增长6%

     市调机构IC Insights统计表示，今年全球半导体资本支出将比去年再增加6%，预计三星、英特尔今年资本支出全年平均增长超过两位数，英特尔今年资本支出约为120亿美元，，台积电则减2%，使得台积电今年资本支出约为100亿美元，退居第三位。
     IC Insights统计，今年全球半导体资本支出将高达723.05亿美元。韩国三星今年资本支出居冠为125亿美元，年增长11%；美国英特尔约为120亿美元，今年资本支出较去年大幅增长25%，位居第二。台积电今年资本支出估约100亿美元，居于第三。
     从IC Insights统计中可以看出，在前十大厂商中有两家今年资本支出成长都在两成以上，分别是格罗方德（GlobalFoundries）的33%与英特尔的年增25%。格罗方德去年资本支出大减62%，今年资本支出为20亿美元，且预计直接挑战7nm制程。
     目前英特尔也在冲刺7nm制程。台积电更取得优势地位；董事长张忠谋表示，今年全球半导体市场前景不错，预计将较去年成长4%-5%，台积电会优于产业成长率，预估今年台积电营收会有5%-10%成长，台积电的制程技术亦超越任何竞争者。
     另外，DRAM市况继续看好，海力士、三星预估将增加资本支出16%和11%。另一家存储器（存储芯片）厂美光，去年资本支出成长28%；美光去年底收购华亚科后，今年资本支出则年减13%为50亿美元。
     此外，晶圆代工厂中芯去年资本支出大增87%，但今年预估资本支出年减12%为23亿美元。至于联电去年资本支出估达28.42亿美元新高，今年预估降3成至20亿美元。

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