Everspin MRAM芯片MR2A16ACYS35替换富士通MB85R4M2TFN铁电存储器

MR2A16ACYS35是由256Kx16组织的MRAM系列的4Mb产品。Everspin的4Mb MRAM MR2A16ACYS35可以与富士通4Mb 铁电RAM MB85R4M2T较慢的时序一起运行，但也允许系统设计人员利用MRAM快四倍的随机访问周期时间。Everspin 4Mb MRAM MR2A16ACYS35采用44引脚TSOP2和48球BGA封装。everspin代理英尚微电子提供必要的技术支持等解决方案。
 
MR2A16ACYS35的优点
与富士通铁电存储器相比，升级到Everspin MRAM具有许多优势：
•更快的随机访问操作时间
•高可靠性和数据保留
•无限读/写耐久性
•无需担心磨损
•有竞争力的价格
•稳定的制造供应链
•小尺寸BGA封装
 
封装引脚
MR2A16ACYS35是一个4Mb非易失性MRAM，组织为256kx16，由标称3.3V电源供电，并与FRAM兼容。两款产品均使用标准SRAM并行地址（A0-16）、字节宽双向数据引脚（DQ0-7）和控制信号（/E、/W、/G）。每个都可以由一个公共定时接口支持，并将用作随机存取读/写存储器，在断电时无需外部电池即可保留数据。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。
 

范围	MB85R4M2TFN-G-JAE2	MR2A16ACYS35
封装	44-Pin TSOP	44-Pin TSOP
尺寸和高度	10.16×18.41×1.2mm	10.16×18.41×1.2mm
引脚排列	参见下面的图1
焊接曲线	根据 JEDEC J-STD-020D.1

     
Everspin MRAM将提供最具成本效益的非易失性RAM解决方案。MR2A16ACYS35 MRAM使用更简单的1晶体管、1磁隧道结单元构建。简单的Everspin MRAM单元可提高制造效率和可靠性。MRAM使用磁性隧道结技术进行非易失性存储。数据不会在高温下泄漏，并且没有磨损机制来限制该技术中的读取、写入或电源循环次数。在125℃下，数据保留时间优于20年。


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本文关键词： MRAM 铁电RAM   

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