EMI502NF08VM-10C国产SRAM芯片PIN2PIN替换IS61WV2568EDBLL-10TLI-ND

ISSI IS61WV2568EDBLL-10TLI-ND是一种高速SRAM芯片，位宽256K x 8。采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，产生了高性能和低功耗的设备。当CE为高电平时，器件进入待机模式下的功耗可以通过CMOS输入电平降低。通过使用芯片使能和输出使能输入、CE和OE可以轻松扩展内存。有效的低写入使能(WE)控制存储器的写入和读取。同时支持工业和汽车温度。完全静态操作,无需时钟或刷新。IS61WV2568EDBLL-10TLI-ND采用JEDEC标准44引脚TSOP-II封装。
 
伟凌创芯国产SRAM芯片EMI502NF08VM-10C是一款位宽256K x 8高速静态随机存取SRAM芯片，使用(8)条公共输入和输出线，并具有一个输出使能引脚，其运行速度快于读取周期的地址访问时间。而EMI502NF08VM-10C允许通过数据字节控制(UB,LB)访问上下字节。快速访问时间10ns，采用JEDEC标准44引脚TSOP-II封装。该器件采用先进的CMOS工艺，基于6-TR的单元技术制造，专为高速电路技术而设计。它是特别适用于高密度高速系统应用。此款EMI502NF08VM-10C国产SRAM芯片PIN2PIN替换IS61WV2568EDBLL-10TLI-ND。代理商英尚微电子支持提供样品测试及产品技术解决方案。
 
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