4Mbit异步低功耗国产SRAM芯片EMI504HL08PM-55I

SRAM是随机存取存储器的一种。静态是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失，这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。因此SRAM具有较高的性能，SRAM的速度快，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM之间的缓存.SRAM也有许多种，如Async SRAM (异步SRAM）、Sync SRAM (同步SRAM）等。下面我司介绍一款4Mbit异步低功耗国产SRAM芯片EMI504HL08PM-55I
 
国产SRAM芯片EMI504HL08PM-55I使用EMI先进的全CMO工艺技术制造。工艺技术采用 90nm Full CMOS ，位宽为512K x 8位，电源电压：4.5V ~5.5V。封装采用32SOP，产品支持工业温度范围和芯片级封装，以实现系统设计的用户灵活性。同时还支持低数据保持电压，以实现低数据保持电流的电池备份操作。
 
封装引脚
 
关于安徽伟凌创芯（EMI）
安徽伟凌创芯微电子有限责任公司是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专注于利基市场（Niche market）专用SRAM芯片/小型SOC芯片及整体解决方案，第一代产品涉及千兆/万兆USB网口芯片以及音视频接口芯片。提供创新、高品质、高性价比、 供货持续稳定的芯片，并通过提供软硬件Turnkey solution，降低客户研发难度，缩短客户量产时程。产品领域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、应用展现、特种通信和智能建筑等。

本文关键词：国产SRAM,SRAM,EMI504HL08PM-55I

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