三星10nm技术领先 台积电7nm能反超吗？

       在半导体代工市场上，台积电一贯都以先进的工艺著称，三星为了追赶台积电而选择直接跳过20nm工艺直接进行开发14nmFinFET工艺，尽管台积电首先开发出16nm工艺，但是由于能效不佳甚至不如20nm工艺，所以只好进行改进引入FinFET工艺，因此三星工艺成功赶超台积电。
       2015年年初三星成功量产14nmFinFET工艺，而台积电的16nmFinFET工艺则延迟到同年三季度才开始量产。在台积电成功量产16nmFinFET工艺后却优先帮衬苹果用于生产A9处理器，而帮助它研发16nmFinFET工艺的华为海思则没获得礼遇，导致采用该工艺的麒麟950芯片延迟到11月初才发布。
      于是双方将目标都聚集在10nm和7nm工艺上，希望争取先量产。在过去的一年时间里，台媒曾多次传出消息指台积电的10nm工艺进展快速，不过最终在去年10月份三星宣布自家的10nm工艺正式量产并采用该工艺生产出高通的骁龙835芯片，再次超越台积电。
      在MWC2017上联发科大事宣传将使用台积电的10nm工艺生产的helio X30芯片，不过暂时不知道哪个手机企业会采用该款存储芯片，而早前传出消息指曾计划采用该款芯片的小米已放弃引入。采用三星10nm工艺生产的骁龙835则被中兴和索尼采用并在MWC2017上展示，预计4月份三星采用该款芯片的高端手机galaxy S8将会大规模上市，从事实上来说这次三星和高通成为10nm工艺的赢家！
      现在台积电和三星正在积极促进它们的7nm工艺量产，各方的消息称它们有可能今年底或明年初量产7nm工艺。在最关键的EUV（极紫外光微影）设备方面，三星早在2016年就已耗费1．78亿美元从ASML采购EUV设备，而台积电则估计从今年1月装设EUV设备，从这个方面来说前者已抢先一步。
       台积电今年还面临着其他的问题，现在它的10nm工艺良率过低迫使它集中资源提升良率，同时在开发16nmFinFET的改进工艺12nmFinFET，接下来又需要确保有足够的产能满足苹果将用于iPhone8的A11处理器对10nm工艺产能的强大需求，这导致它难以集中更多资源开发7nm工艺。
      当然三星当然也面临着10nm工艺良率的问题，不过它除了这方面需要投入资源外没有更多需要担心的地方，因此可以将更多资源专注于7nm工艺，再加上在EUV技术方面领先于台积电进行投入，因此有可能在7nm工艺上先于台积电量产。
     三星和台积电在7nm工艺上有可能真正实现对半导体老大台积电的超越，虽然在命名上这两者的10nm工艺与Intel的10nm一样，不过业界普遍认为它们的7nm工艺才能实现领先于Intel的10nm，当前它们的10nm估计只是稍好与Intel的14nmFinFET，Intel预计今年下半年会量产10nm工艺，也因此它们才如此看重谁抢先量产7nm工艺。