伟凌创芯国产SRAM低功耗芯片EMI502NF08VM-08I

SRAM是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据，就是高速缓存或者说是二级缓存。SRAM靠寄存器来存储信息.
 
SRAM的速度非常快，能以20ns或更快的速度工作。这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。静态存储SRAM芯片包含业界多样的异步低功耗SRAM。快速SRAM是诸如交换机和路由器，IP电话，测试设备和汽车电子产品之类的网络应用的理想选择。
 
我司介绍一款国产伟凌创芯的SRAM芯片，EMI502NF08VM-08I是2Mbit的高速静态随机存取存储器，位宽256Kbx8bit。该器件采用先进的CMOS工艺，基于6-TR的单元技术制造，专为高速电路技术而设计。它是特别适用于高密度高速系统应用。EMI502NF08VM-08I使用8条公共输入和输出线，并具有一个输出使能引脚，其运行速度快于读取周期的地址访问时间。而EMI502NF08VM-08I允许通过数据字节控制(UB,LB)访问上下字节。
 
伟凌创芯EMI502NF08VM-08I快速访问时间8ns，电压为3.3V，具备TTL兼容输入和输出，完全静态操作，无需时钟或刷新，三态输出。采用标准的44TSOP2封装引脚，可在商业和工业温度范围内运行。英尚微电子可提供样品测试及必要的FAE技术支持。


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