存储芯片特点

     提起存储器IC的分类，大家马上想起储器可以分为RAM和ROM两大类。
     ROM是Read Only Memory的缩写，翻译过来就是只读存储器。常见的ROM又可分为掩膜ROM(有时直接称为ROM)、PROM(Programmable ROM：可编程ROM，特指一次编程的ROM)、EPROM(Erasable Programmable ROM：可擦除可编程的ROM，擦除时用紫外线)、EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM：电可擦除可编程ROM)。
      以上是大家在各种教材上看到的存储器的分类。
      但问题是，ROM明明叫只读存储器，也就是不可写的存储器，现实是除了掩膜ROM是不可写的外，PROM、EPROM、EEPROM事实上都是可写的。它们的名称中还带有“ROM”是名不副实的叫法。掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM这几种存储器的共同特点其实是断电后，所存储的数据不会消失，所以可以归类为非易失性存储器(即Non-Volatile Memory)。
      SRAM、DRAM的共同特点是掉电后数据会丢失，所以也可称为易失性存储器(Volatile memory)。
      于是，存储器从大类来分，可以分为易失性存储器和非易失性存储器。
      后来出现的Flash Memory(快闪存储，简称闪存)，掉电后数据也不容易丢失，所以也属于非易失性存储器。Flash Memory的名称中已经不带ROM字样了，但是传统的分类方法中，还是把Flash Memory归类为ROM类，事实上此时是因为这些存储器都是非易失的。
      把存储器分为易失性存储器和非易失性存储器就万事大吉了么？
      令人纠结的是，有一种新的存储器，它既是非易失的，同时又是能够高速随时读写数据的，也就是说能够随机存取的。这种存储器就是FRAM(Ferroelectric Random Access Memory：铁电随机存取存储器，简称铁电存储器)。把FRAM归类为非易失性存储器是可以，但是FRAM的高速读写性质又与SRAM、DRAM更为接近，它也是一种RAM。
于是，存储器的分类令人纠结。传统的分为RAM与ROM的方式本来就不科学。如果分成RAM与非易失性存储器这两大类，也不科学，因为这个分类本身就不是按同一个标准分的，导致FRAM即属于RAM，又属于非易失性存储器。如果只分成易失性存储器和非易失性存储器，又导致FRAM与SRAM、DRAM分家，大家都有RAM嘛，凭什么分开是吧。
      所以：存储器分成随机存取存储器和非随机存取存储器两大类芯片比较合适。
存储器的分类如下(按存取速度分类)：
1、随机存取存储器：SRAM、DRAM、FRAM；
2、非随机存取存储器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory。
差强人意的分类为(按易失性分类)：
1、易失性存储器：SRAM、DRAM；
2、非易失性存储器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory、FRAM。