伟凌创芯4Mbit异步快速SRAM芯片EMI504WF16VA-10I

快速异步型SRAM，存取时间为35ns（或更短）的异步型SRAM可被归类为“快速”异步型SRAM。这些存储器通常应用于老式系统中，且功耗较高。其典型应用包括老式PC L2高速缓冲存储器、高速暂存器以及工业应用中的缓冲存储器。
 
伟凌创芯4Mbit异步快速SRAM芯片EMI504WF16VA-10I是4Mbit异步快速SRAM芯片，位宽为256K*16K字。它使用16条公共输入和输出线，并有一个输出使能引脚，其运行速度比读取周期中的地址访问时间快。采用先进的CMOS工艺、基于6-TR的单元技术制造，专为高速电路设计技术。它特别适用于高密度高速系统应用。代理商英尚国际支持提供样品测试及必要的FAE技术支持。
 
特征
快速访问时间8ns、10ns、12ns。
•CMOS低功耗待机
•单3.3±0.3V,5.0±0.5V电源
•电源范围广：1.65V~3.6V。
•TTL兼容输入和输出
•完全静态操作。
•三个状态输出。
•数据字节控制（x8,x16模式）。
•标准44TSOP2封装。
•工业操作温度。
 
封装引脚配置
   
安徽伟凌创芯微电子是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专注SRAM存储、显示驱动，接口转换芯片设计、生产及销售。为行业客户提供高品质、低成本，供货持续稳定的自主知识产权的集成电路产品，产品领域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、应用展现、特种通信和智能建筑等

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