EMI502NL16LM-55I可替代IS61WV12816DBLL-10BLI低功耗SRAM

      SRAM是随机存取存储器的一种。这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
 
      下面介绍一款可替代IS61WV12816DBLL-10BLI高速低功耗异步SRAM芯片EMI502NL16LM-55I
 
      我司英尚国际推荐一款国产SRAM芯片,型号EMI502NL16LM-55I产品,该系列由EMI先进的全CMOS工艺技术制造。位宽为128Kx 16的2Mbit的SRAM芯片，电源电压范围为2.3V〜3.6V。
 
      EMI502NL16LM-55I具备三态输出和TTL兼容，低数据保持电压：1.5V（最小值），这些系列支持工业温度范围和芯片规模封装，以使用户灵活地进行系统设计。该系列还支持低数据保持电压，以低数据保持电流实现电池备份操作。封装采用标准48BGA。
 
      封装引脚配置
   
      安徽伟凌创芯（EMI）公司是专注存储SRAM/PSRAM芯片、显示驱动，接口转换芯片设计、生产及销售的坞无晶圆半导体公司。为行业客户提供高品质、低成本，供货持续稳定的自主知识产权的集成电路产品，产品领域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、应用展现、特种通信和智能建筑等。

本文关键词：SRAM,IS61WV12816DBLL-10BLI

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